下記の通り講演会が開催されますのでご案内いたします．皆様のご参加をお待ちしております．
- 日時
- 2023 年 11 月 29 日(水) 16:30-18:00
- 場所
- 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター 3F セミナー室 (304室)
- 講師
- 谷田部 然治 先生 (熊本大学 半導体・デジタル研究教育機構 准教授)
- 演題
- ゲート絶縁膜堆積プロセスとデバイス評価技術の開拓
- 概要
- 従来の半導体材料よりも優れた物性を持つ新規半導体材料や，新しい構造・動作原理に基づく次世代半導体デバイスの研究開発が急速に進展しています．これら次世代半導体デバイスの実現には材料・プロセス開発だけではなく，評価技術の研究も不可欠です．本講演ではミスト化学気相成長(CVD)法を絶縁膜堆積プロセスに適用した窒化物半導体界面の評価例，電流雑音を用いたナノ構造デバイスの電子トラップの新規解析手法などを紹介していただきます．
- 世話人
- 佐藤 威友 (北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター)