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シリコン材料・デバイス研究会(SDM) [schedule] [select]
専門委員長 大野 裕三 (筑波大)
副委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事 黒田 理人 (東北大)
幹事補佐 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)

日時 2015年 3月 2日(月) 10:00 - 16:00
議題 配線・実装技術と関連材料技術 
会場名 機械振興会館 
交通案内 https://www.ieice.org/jpn/about/syozai.html
他の共催 ◆応用物理学会共催

3月2日(月) 午前 
10:00 - 16:00
  10:00-10:05 開会の挨拶 ( 5分 )
(1) 10:05-10:35 [招待講演]Bio-MEMS towards Single-Molecular Characterization ○Momoko Kumemura・Hiroyuki Fujita(Univ. of Tokyo)
(2) 10:35-11:05 [招待講演]性能スケーラビリティと機能フレキシビリティを実現する三次元FPGAのためのインテグレーション技術 ○武田健一・青木真由(日立)
(3) 11:05-11:35 [招待講演]チップ間光配線に向けた高密度・アサーマルシリコン光インターポーザ ○中村隆宏・賣野 豊(光電子融合基盤技研)・荒川泰彦(東大)
(4) 11:35-12:05 [招待講演]エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 ○中塚 理・鄧 云生・鈴木陽洋・坂下満男・田岡紀之・財満鎭明(名大)
  12:05-13:05 昼食 ( 60分 )
(5) 13:05-13:35 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博(超低電圧デバイス技研組合)
(6) 13:35-14:05 [招待講演]選択成長を用いたCNTビアのインテグレーション 磯林厚伸・和田 真・伊東 伴・斎藤達朗・西出大亮・石倉太志・片桐雅之・山崎雄一・松本貴士・北村政幸・渡邉勝仁・佐久間尚志・○梶田明広・酒井忠司(超低電圧デバイス技研組合)
  14:05-14:25 休憩 ( 20分 )
(7) 14:25-14:55 [招待講演]インターカレーションによる低抵抗多層グラフェン配線の実現 ○近藤大雄(産総研/富士通研)・中野美尚・周 波・井 亜希子(産総研)・林 賢二郎(産総研/富士通研)・高橋 誠(産総研)・佐藤信太郎・横山直樹(産総研/富士通研)
(8) 14:55-15:25 [招待講演]めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性に及ぼす微細組織の影響 ○鈴木 研・加藤武瑠・三浦英生(東北大)
(9) 15:25-15:55 [招待講演]CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価 ○嶋 紘平(東大)・ツ ユアン・韓 斌・高見澤 悠(東北大)・清水秀治(東大)・清水康雄(東北大)・百瀬 健(東大)・井上耕治・永井康介(東北大)・霜垣幸浩(東大)
  15:55-16:00 閉会の挨拶 ( 5分 )

講演時間
招待講演発表 25 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
SDM シリコン材料・デバイス研究会(SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 黒田 理人(東北大)
Tel 022-795-4833 Fax 022-795-4834
E--mail: fffe 


Last modified: 2015-01-21 23:42:50


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