Print edition: ISSN 0913-5685
Online edition: ISSN 2432-6380
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ED2005-139
四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション
○木村健司・松岡隆志（東北大）
pp. 1 - 4
ED2005-140
PLD法により低温成長した?族窒化物の特性
○藤岡 洋（東大/神奈川科学技術アカデミー）・太田実雄・井上 茂・小林 篤・岡本浩一郎（東大）・金 太源・松木伸行（神奈川科学技術アカデミー）
pp. 5 - 8
ED2005-141
化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積
○小林俊章・平山航史・江川慎一・秋山誠和子・杉本浩一・馬場太一・本田 徹・川西英雄（工学院大）
pp. 9 - 12
ED2005-142
GaN微結晶を用いた紫外EL素子製作の検討
○馬場太一・秋山誠和子・江川慎一・小林俊章・蓮沼範行・本田 徹・川西英雄（工学院大）
pp. 13 - 16
ED2005-143
研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価
○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大）
pp. 17 - 22
ED2005-144
高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響
○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大）
pp. 23 - 28
ED2005-145
昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長
○土屋法隆・クリッシュナン バラクリッシュナン・岩谷素顕・上山 智・天野 浩・赤崎 勇（名城大）・下野健二・野呂匡志・高木 俊（イビデン）・古庄智明（シクスオン）
pp. 29 - 34
ED2005-146
高品質SiCウェーハの開発
○古庄智明・小林良平・佐々木 信・林 利彦・木下博之・塩見 弘（シクスオン）
pp. 35 - 38
ED2005-147
ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ
○古川拓也・木村 健・佐藤威友・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大）
pp. 39 - 42
ED2005-148
AlGaN/GaNへテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ
○松尾一心・木村 健・長谷川英機・橋詰 保（北大）
pp. 43 - 46
ED2005-149
窒化物半導体を用いた光電気化学反応による水素生成
○藤井克司（JST）・小野雅人・伊藤高志・岩城安浩（東京理科大）・大川和宏（東京理科大/JST）
pp. 47 - 52
ED2005-150
高効率・高出力GaN系半導体レーザ
○蔵本恭介・大野彰仁（三菱電機）・山田智雄・岡川広明（三菱電線）・川津善平・川崎和重・冨田信之・塩沢勝臣・金本恭三・渡辺 寛・竹見政義・八木哲哉（三菱電機）・村田博昭（三菱電線）・島 顕洋（三菱電機）
pp. 53 - 56
ED2005-151
光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ
○狩野隆司・野村康彦・畑 雅幸・井上大二朗・庄野昌幸（三洋電機）
pp. 57 - 60
ED2005-152
ＲＦ分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価
○菊池昭彦・多田 誠・岸野克巳（上智大）
pp. 61 - 65
ED2005-153
330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測
○平山秀樹・高野隆好（理研）・大橋智昭（理研/埼玉大）・藤川紗千恵（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・近藤行廣（理研）
pp. 67 - 72
ED2005-154
InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係
○金田昭男・船戸 充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大）
pp. 73 - 76
ED2005-155
InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光
○船戸 充・小谷晃央・近藤 剛・西塚幸司（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大）
pp. 77 - 80
ED2005-156
2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価
○池永和正・生方映徳・山口 晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本 功（大陽日酸）
pp. 81 - 84
今後、次の点を修正する予定です。(1)欠けている表紙画像・奥付画像を補完いたします。(2)欠けている発行日の情報を補完いたします。