講演抄録/キーワード |
講演名 |
2005-10-14 16:10
2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価 ○池永和正・生方映徳・山口 晃・阿久津仲男・藤居勤二・松本 功(大陽日酸) エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-156 CPM2005-143 LQE2005-83 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
/ / / / / / / |
(英) |
/ / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 105, no. 330, LQE2005-83, pp. 81-84, 2005年10月. |
資料番号 |
LQE2005-83 |
発行日 |
2005-10-07 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2005-156 CPM2005-143 LQE2005-83 |