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　平成25年1月度SDM研究会
　開催のご案内
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★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長 奈良 安雄　副委員長 大野 裕三
幹事 野村 晋太郎、笹子 佳孝
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会　共催

下記要領にて、2013年1月度SDM研究会を開催いたします。

■テーマ：「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」

■開催日時：平成25年1月30日（水）9:30 - 17:00

■開催場所：機械振興会館　地下3階研修2号室
http://www.jspmi.or.jp/kaigishitsu/access.html

■プログラム

9:30-9:35　はじめに　坂本邦博（産総研）

1.　9:35-10:00
14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのVtおよびGmばらつき抑制技術
○松川 貴，柳 永��，水林 亘，塚田順一，山内洋美，遠藤和彦，石川由紀，大内真一，太田裕之，右田真司，森田行則，昌原明植（産総研）

2.　10:00-10:25
チャネル長を3 nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性　　
○右田真司，森田行則，昌原明植，太田裕之（産総研）

3.　10:25-10:50
Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeOx/Ge界面による移動度の向上
○張睿，黄博勤，林汝静，竹中充，高木信一（東京大学）

4.　10:50-11:15
本質的なグラフェン/金属界面特性
○長汐晃輔，井福亮太，森山喬史，西村智紀，鳥海明（東京大学）

5.　11:15-11:40
AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上
○細井卓治1，東雲秀司2，柏木勇作2，保坂重敏2，中村亮太3，箕谷周平3，中野佑紀3，浅原浩和3，中村孝3，木本恒暢4，志村考功1，渡部平司1（1大阪大学，2東京エレクトロン，3ロー ム，4京都大学）

11:40-12:40　昼休み

6.　12:40-13:05
イメージセンサにおけるオンチップ光学系の発展
○寺西信一，渡辺尚志，上田壮彦，仙石直久（パナソニック）

7.　13:05-13:30
ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響
○松本高士1，小林和淑2，小野寺秀俊1（1京都大学，2京都工芸繊維大学）

8.　13:30-13:55
ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響
○三木浩史1，手賀直樹1，山岡雅直1，D. J. Frank2，A. Bansal2, 小林正治2，K. Cheng2,C.P.D'Emic2, Z.Ren2, S.Wu3, J-B.Yau2, Y.Zhu2, M.A.Guillorn2, D.-G.Park2, W.Haensch2, E.Leobandung2, 鳥居和功1（1日立中研，2 IBM T.J.Watson Research Center, 3 IBM SRDC East Fishkill）

9.　13:55-14:20
相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証
○宮村信，多田宗弘，阪本利司，伴野直樹，岡本浩一郎，井口憲幸，波田博光（超低電圧デバイス技術研究組合）

14:20-14:40 休憩

10.　14:40-15:05
高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ
安部恵子，野口紘希，北川英二，下村尚治，伊藤順一，○藤田忍（東芝研究開発センター）

11.　15:05-15:30
スピン注入書き込みＭＲＡＭ技術の進展と，そのノーマリオフコンピュウテイング実現に対する効果
○下村尚治1，與田博明2，藤田忍1，北川英二1，安部恵子1，野村久美子1，野口紘希1，伊藤順一1（1東芝研究開発センター，2東芝半導体研究開発センター）

12.　15:30-15:55
ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能
○周藤悠介1,4,5，山本修一郎1,4，介川裕章2,4，ZhenChao Wen 2,4，中根了昌3,4，三谷誠司2,4，田中雅明3,4，猪俣浩一郎2,4，菅原聡1,4（1東京工業大学，2物質・材料研究機構，3東京大学，4 CREST，5神奈川科学アカデミー）

13.　15:55-16:20
IEDMを振り返って　　○遠藤和彦（産総研）

16:20-17:00　総合討論

17:00〜 懇親会

■お問い合わせ先：
高橋 芳浩（日本大学）
TEL&FAX：047-469-5459
takahashi.yoshihiro[atmark]nihon-u.ac.jp