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　　　　　 平成22年1月電子情報通信学会
　　　　　 SDM研究会　プログラム
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●電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
専門委員長　渡辺重佳　副委員長　杉井寿博
幹事　安斎久浩,遠藤哲郎　幹事補佐　大西克典,小野行徳
応用物理学会シリコンテクノロジｰ分科会　共催

●応用物理学会シリコンテクノロジｰ分科会ULSIデバイス研究委員会
委員長　坂本邦博

■日時
平成22年1月29日(金)9:30 - 17:00

■会場
機械振興会館　地下3階研修1号室
　　　　 詳細は　http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm　をご覧ください。

■交通
営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分　
都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
JR浜松町駅下車 徒歩15分

■テｰマ
「IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)」

■プログラム
9:30-11:40
1.　IEDM2009を振り返って
○今井清隆(NECエレクトロニクス)

2.　 Lg=30nm準バリスティック輸送MISFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度との相関関係
○辰村光介,後藤正和*,川中繁*,木下敦寛(東芝,*東芝セミコンダクタｰ社)

3.　強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測
○高橋綱己，山端元音，小木純，小寺哲夫，小田俊理，内田建（東工大）

4.　第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用
○石原貴光,松下大介,加藤弘一(東芝)

5.　Record-high Electron Mobility in Ge n-MOSFETs Exceeding Si Universality(仮題)
○C.H. Lee(東大)

12:50-14:30
6.　セルフアセンブリを基盤としたウェーハレベル三次元集積化技術
○福島誉史(東北大)

7.　三次元光・電子融合集積化技術開発
○李康旭(東北大)

8.　ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用
○南雲俊治*,竹内潔*,横川慎二**,今井清隆**,林喜宏*(NECエレクトロニクス　*LSI基礎開発研究所　**先端デバイス開発部)

9.　走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソｰス・ドレインにおける高分解能イメｰジング及び高精度プロｰビング解析
○張利,齋藤真澄,木下敦寛,安武信昭*,外園明*,青木伸俊*,楠直樹**,水島一郎***,小池三夫,竹野史郎,古賀淳二(東芝,東芝セミコンダクタｰ社　*半導体研究開発センタｰ,**システムLSI事業部,***プロセス技術推進センタｰ)

14:50-16:30
10.レイアウト依存性を考慮したコンパクトモデルの開発
○相川恒,佐貫朋也,坂田明雄,森藤英治,吉村尚郎,浅見哲也,大谷寛,親松尚人(東芝セミコンダクタｰ社)

11.　A 0.5V Operation, 32% Lower Active Power, 42% Lower Leakage Current, Ferroelectric 6T-SRAM with VTH Self-Adjusting Function for 60% Larger Static Noise Margin(仮題)
○田中丸周平(東大)

12.　グラフェン/金属コンタクトの重要性　-移動度とコンタクト抵抗の解析-
○長汐晃輔,西村知紀,喜多浩之,鳥海明(東大)

13.　グラフェンのVLSI応用:FET応用,配線応用
○粟野祐二(慶應大)

16:30-17:00　総合討論

17:00-　懇親会