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「結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料）」
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【開催日】　　2008年5月15日(木)，16日（金）

【開催場所】　名古屋工業大学
　　　　 詳細は下記ホームページをご覧下さい。
　　　　 http://www.nitech.ac.jp/

【論文申込締切】　2008年3月14日(金)

【申込方法】 　下記の電子情報通信学会の研究会発表申込システムより
　　　　　　　　　お申し込みください。
　(http://www.ieice.org/ken/program/index.php?instsoc=IEICE-C&tgid=CPM)

【原稿執筆】　お申込の後，予稿(電子情報通信学会技術研究報告)の
　　　　　　　　原稿を執筆いただきます。予稿は指定の様式(A4サイズ)
　　　　　　　　で6ページ以内です。
　　　　　　　　発表申込受理後，原稿作成依頼が電子メールで送信されます。
　　　　　　　　2007年4月1日から原稿もWEBからの投稿になりますので，
　　　　　　　　御協力を宜しくお願い申し上げます。

●主催：　電子情報通信学会　CPM，ED，SDM合同主催

●担当者連絡先
SDM専門委員　若原昭浩（豊橋技術科学大学）
E-mail: wakahara[atmark]eee.tut.ac.jp
SDM専門委員　木本恒暢 （京都大学）
E-mail: kimoto[atmark]kuee.kyoto-u.ac.jp
SDM専門委員　佐々木公洋 （金沢大学）
E-mail: sasaki[atmark]ec.t.kanazawa-u.ac.jp

●参加要項
第一種研究会ですので参加費は無料，予稿集は別売です。
研究会の参加申込は事前には特に必要ありません。

※シリコン材料・デバイス研究専門委員会では、研究会に投稿された
論文の中から特に優秀でオリジナリティのある論文を電子情報通信学会
和文論文誌に正論文として推薦することができます。
　 研究会に投稿した論文をそのまま、あるいは若干の改訂を加えて和文
論文誌に投稿でき、査読を通った通常の論文として発表できることになります。
　 和文論文誌への推薦を希望される方は、講演申し込み時に、
申し込みフォーマットの最後の欄の「和文論文誌への推薦の希望」に”有”
とご記入下さい。候補論文としてノミネートさせていただき、専門委員会で
審議させて頂きます。
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以上、奮ってご発表、ご参加いただけますよう、お願い申し上げます。