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「配線・実装技術と関連材料技術」
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●電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）
専門委員長　浅野種正　副委員長　杉井寿博
幹事　川中 繁　安斎 久浩　幹事補佐　大見俊一郎

日時　平成20年2月8日（金）10:00 - 17:00

会場　機械振興会館　地下3階　研修2号室
詳細は　http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm　をご覧ください。

交通　営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
　　　　 営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
　　　 　都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分
　　　　 都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
　 　　　JR浜松町駅下車 徒歩15分

テーマ：「配線・実装技術と関連材料技術」

◆プログラム◆

1. (10:00-10:05)
開会の挨拶　

2. (10:05-10:50)
基調講演
シリコンチップ光配線
○大橋　啓之（MIRAI-Selete / NEC）

3. (10:50-11:20)
低環境負荷型Cuコンタクト界面洗浄プロセスの構築
○大口　寿史、魚住　宜弘、松村　剛、吉水　康人、中嶋　崇人、冨田　寛（東芝セミコンダクター社）

4. (11:20-11:50)
32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術
清水紀嘉、工藤寛、羽根田雅希、落水洋聡、筑根敦弘、岡野俊一、大塚信幸、砂山理江、鈴木貴志、北田秀樹、田平貴裕、二木俊郎、杉井　寿博 (富士通研究所)
酒井久弥、天利聡、松山英也（富士通）

5. (11:50-12:20)
Low-kキャップ(k=3.1)を用いた低コスト・高性能Cu配線(keff=2.75)
植木誠、山本博規、伊藤文則、川原潤、多田宗弘、竹内常雄、齋藤忍、古武直也、小野寺貴弘、林喜宏（NEC）

■　昼食 12:20 - 13:20

6. (13:20-13:50)
高空孔率（50%）高強度(9GPa)自己組織化ポーラスシリカ膜を用いた32nmノードLSI向け超低誘電率膜（k=2.1）Cuダマシン多層配線
隣　真一、木下　啓藏、曽田　栄一、斎藤　修一(Selete)
中山　高博、平川　正明 (アルバック)、高村　一夫、田中　博文 (三井化学)
清野　豊、秦　信宏 (産総研)、吉川　公麿 (広島大学/産総研)

7. (13:50-14:20)
陽電子消滅法を用いたポーラスLow-k膜の空孔連結性と吸湿特性の相関
伊藤文則、竹内常雄、山本博規、林喜宏 (NEC)
大平俊行、鈴木良一 (産総研）

8. (14:20-14:50)
ビア付Cu配線のTDDB信頼性予測
○宮崎博史、児玉大介、鈴村直仁（ルネサステクノロジ）

■　休憩　14:50-15:10

9. (15:10-15:40)
多層銅配線とハイブリッドLow-k構造（porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)）を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善
宇佐美　達矢、田上　政由、北野　友久、関根　誠 (NECエレクトロニクス)
渡邊　桂、増田　秀顕、島田　美代子、側瀬　聡文、中村　直文、宮島　秀史、成瀬　宏(東芝)
亀嶋　隆季、香川　恵永、榎本　容幸（ソニー）

10. (15:40-16:10)
自己組織化ウェーハ張り合わせによる三次元集積化技術
　○小柳光正、福島誉史、田中徹（東北大学）

11. (16:10-16:40)
高Q値ＷＬＰインダクタおよびその5.8GHz帯LC型電圧制御発振器への応用
畠山英樹 (東京工業大学/フジクラ電子デバイス研究所)
岡田健一、大橋一磨、伊籐雄作、益一哉 (東京工業大学)
上道雄介、小澤直行、佐藤正和、相沢卓也、伊籐達也 (フジクラ電子デバイス研究所)
山内良三 （フジクラ）

12. (16:40-16:45)
閉会の挨拶　

問い合わせ先
シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
川中 繁 (東芝セミコンダクター社)
TEL 045-770-3642、 FAX 045-776-4104
E-mail shigeru.kawanaka ＠ toshiba.co.jp