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「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」
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電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
委員長：浅野種正　副委員長：杉井寿博
幹事：川中繁，安斎久浩　幹事補佐：大見俊一郎

■日時　平成20年1月24日（木）9:30 - 16:50

■会場　機械振興会館　地下3階研修2号室
　　　　詳細は　http://www.jspmi.or.jp/kaikan.htm　をご覧ください。

■交通　営団地下鉄日比谷線神谷町駅下車 徒歩8分
　　　　営団地下鉄三田線御成門駅下車 徒歩8分
　　　　都営地下鉄大江戸線赤羽橋駅下車 徒歩10分
　　　　都営地下鉄浅草線・大江戸線大門駅下車 徒歩10分
　 　　JR浜松町駅下車 徒歩15分

◆プログラム◆

1.(9:30-9:40)
はじめに
平本俊郎（東京大学生産技術研究所）

2.(9:40-10:10)
IEDM2007を振り返って
高木信一（東京大学）

3.(10:10-10:40)
high-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案
太田裕之1, 平野晃人2, 渡邉幸宗2, 安田直樹2, 岩本邦彦2, 秋山浩二2, 岡田健治2, 右田真司1, 生田目俊秀2, 鳥海明1,3（１半導体MIRAI-産総研ASRC, ２半導体MIRAI-ASET, ３東大工）

4.(10:40-11:10)
膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/pMOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上
清水健, 平本俊郎（東京大学生産技術研究所, 東京大学CINQIE）

5.(11:10-11:40)
10nm以下の極薄膜ダブルゲートSOI p-FETにおける高移動度の実証　-軽い正孔バンドの役割と一軸性応力エンジニアリングとの整合性-
小林茂樹, 齋藤真澄, 内田建（株式会社東芝研究開発センター）

昼食11:40 - 12:40

6.(12:40-13:10)
トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm世代高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術」
宮下俊彦, 池田圭司, 金永ソク, 山本知成, 三本杉安弘, 落水洋聡, 迫田恒久, 奥野昌樹, 南方浩志, 大田裕之, 早見由香, *大越克明, 島宗洋介, *福田真大, *畑田明良, *岡部堅一, *久保智裕, *田島貢, *山本智彦, *武藤英児, *大和田保, 中村誠, *澤田豊治, *長山準, *森年史, 倉田創, 助川和雄, 筑根敦弘, *山口清一郎, 池田和人, *加勢正隆, 佐藤成生, 杉井寿博（富士通研究所, *富士通）

7.(13:10-13:40)
不純物閉じ込め層（DCL）を有するサブ40nm高性能CMOS特性
大田裕之, 田村直義, 福留秀暢, *田島貢, *岡部堅一, *畑田明良, 池田圭司, *大越克明, *森年史, 助川和雄, 佐藤成生, 杉井寿博（富士通研究所, *富士通）

8.(13:40-14:10)
ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET
黛哲, 王俊利, 山川真弥, 舘下八州志, 平野智之, 中田征志, 山口晋平, 山本雄一, 宮波勇樹, 押山到, 田中和樹, 田井香織, 小川浩二, 釘宮克尚, 長濱嘉彦, 萩本賢哉, 山本亮, 神田さおり, 長野香, 若林整, 田川幸雄, 塚本雅則, 岩元勇人, 齋藤正樹, 門村新吾, 長島直樹（ソニー(株)セミコンダクタテクノロジー開発本部）

9.(14:10-14:40)
三次元NANDフラッシュメモリに最適な縦型アレイデバイス開発
福住嘉晃, 勝又竜太, 鬼頭傑, 木藤大, 佐藤充, 田中啓安, 永田祐三*, 松岡泰之, 岩田佳久, 青地英明, 仁田山晃寛（株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター, *東芝情報システム株式会社）

休憩　14:40-14:50

10. (14:50-15:20)
新規格化法を用いたファブ／テクノロジ／水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価
竹内潔1,2, 深井利憲1, 角村貴昭1, アリフィン・タムシル・プトラ3, 西田彰男1, 蒲原史朗1, 平本俊郎1,3（1 MIRAI-Selete, 2 NEC, 3 東京大学）

11.(15:20-15:50)
インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術
土屋龍太1,2, 石垣隆士2, 森田祐介2, 山岡雅直2, 岩松俊明1, 一法師隆志1, 尾田秀一1, 杉井信之2, 木村紳一郎2, 伊藤清男2, 井上靖朗1（1 (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部, 2(株)日立製作所中央研究所）

12.(15:50-16:20)
32 nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき
稲葉聡, 川崎博久, 岡野王俊, 泉田貴士, 八木下淳史*, 金子明生*, 石丸一成, 青木伸俊, 豊島義明（株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター, *プロセス技術推進センター）

13.(16:20-16:50)
総合討論

17:00-　懇親会

■参加要項
参加費は第一種研究会ですので無料，予稿集は別売です．
研究会の参加申込は事前には特に必要ありません．

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本研究会では2007年12月に開催されたIEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)発表論文より，特に先端CMOSデバイス・プロセス技術関連の講演を依頼し，皆様の活発な討論の場とさせていただこうと企画いたしました．
皆様，奮ってご参加頂きますようお願い致します．

【問い合わせ先】

高橋芳浩
　 日本大学理工学部　電子情報工学科　准教授
E-mail: ytaka ＠ ecs.cst.nihon-u.ac.jp