★シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　浅野 種正　　副委員長　杉井 寿博
幹事　大野 守史， 川中 繁
幹事補佐　松井 裕一

【日時】　2007年 3月15日(木)　13：00〜16：45

【会場】　機械振興会館 地下3F 2号室(B3-2)
(〒105-0011東京都港区芝公園3-5-8．）

【議題】　不揮発性メモリおよび関連プロセス一般

◆プログラム◆

−−−　開会の辞　（ 5分 ）　−−−

(1) 13:05 - 13:30
五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
○松井裕一・黒土健三・外村　修・森川貴博・木下勝治
・藤崎芳久・松崎　望・半澤　悟・寺尾元康・高浦則克・守谷浩志
・岩崎富生（日立）・茂庭昌弘・古賀　剛（ルネサステクノロジ）

(2) 13:30 - 13:55
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
○佐藤嘉洋・木下健太郎・能代英之・青木正樹・杉山芳弘（富士通研）

(3) 13:55 - 14:20
SiO2/SiOx/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ
○須田良幸・長谷川宏巳（農工大）

(4) 14:20 - 14:45
３次元型トランジスタ導入によるLSIの高密度化の検討
○渡辺重佳・岡本恵介・広島　佑・小泉圭輔・大谷　真（湘南工科大）

−−−　休憩　（ 15分 ）　−−−

(5) 15:00 - 15:25
［招待講演］Impact of (111)-Oriented SrRuO3/Pt Tailored Electrode
for Highly Reproducible Preparation of MOCVD-PZT Film for High Density FeRAM
○Niclus Menou・Hiroshi Funakubo・Hiroki Kuwabara（Tokyo Tech.）

(6) 15:25 - 15:50
大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術
○山川晃司・尾崎　徹・金谷宏行・國島　巌・玖村芳典・下城義朗
・首藤　晋・日高　修・山田有紀・山崎壮一・浜本毅司・白武慎一郎
・高島大三郎・宮川　正・大槻純人（東芝）

(7) 15:50 - 16:15
マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相成長装置の開発と
強誘電体Sr2(Ta1-x,Nbx)2O7膜の形成
○高橋一郎（東北大学）

(8) 16:15 - 16:40
微細ＭＯＳＦＥＴの各種リーク電流を考慮した２電源型システムＬＳＩの
消費電力削減効果の検討
○渡辺重佳・花見　智・小林　学・高畠俊徳（湘南工科大）

−−−　閉会挨拶　（ 5分 ）　−−−

【問合先】
３月研究会担当
羽路伸夫(横浜国大): nob@ynu.ac.jp
松井裕一(日立製作所)：yuichi.matsui.qv@hitachi.com
大野守史(沖電気工業): ohno565@oki.com