委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正
幹事 大野守史・高柳万里子 幹事補佐 松井裕一

●日時　4月17日(月)　13:00〜17:40
　　　 　　4月18日(火)　 9:00〜13:00

●会場　ウェル大濠荘
(福岡市中央区大濠2-12-25、福岡市営地下鉄「唐人町」駅下車(福岡空港から18
分、博多駅から13分)、6番出口より徒歩5分)　
電話092-741-2400

●テーマ　：　薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術

◆プログラム◆

【17日午後】
13:00-13:40
1. [招待講演]バイオナノコアを活用した金属誘起固相成長による多結晶シリコ
ン薄膜形成
冬木隆(奈良先端大)

13:40-14:05
2. 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長
○菅野裕士、権丈淳、佐道泰造、宮尾正信(九大)

14:05-14:30
3. AIC法により作製された多結晶シリコン薄膜形成過程
○池田賢一、廣田健、藤本健資、杉本陽平、高田尚記、井誠一郎、中島英治、中
島寛(九大)

14:30-14:55
4. ダブルパルスレーザー走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性
○渡辺一徳、江崎真彦、中川豪、浅野種正(九工大)、桜木進、工藤利雄(住友重機)

14:55-15:20
5. 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響
○部家彰、三浪大介、中村昌隆(兵庫県大)、芹川正(東大)、河本直哉(山口大)、
松尾直人(兵庫県大)

15:35-16:00
6. 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の形成
○田中政典、佐道泰造(九大)、松本光二(SUMCO)、榎田豊次(福菱セミコン)、宮尾
正信(九大)

16:00-16:25
7. Siプローブを用いたm-Pseudo-MOS法によるSOI薄膜層評価の基礎検討
○山本泰己(関西大)、永瀬雅夫(NTT)、大村泰久(関西大学)

16:25-16:50
8. 二次元デバイスシミュレーションによるｎ−チャネル低温 poly-Si TFTの電
界、キャリヤ分布
野上幸里、矢島稔久、佐藤利文、○丹呉浩侑(東京工芸大)

16:50-17:15
9. 異常な電子キャリア生成による低抵抗ＩＴＯ薄膜
○河野昭彦、村上達大、生地文也(九共大)

17:15-17:40
10. Si基板上に形成した多結晶Bi4-xLaxTi3O12（BLT）薄膜のC-Vヒステリシスと
界面状態の評価
○香野淳、西川武蔵、泊博幸(福岡大)

(懇親会)　18:00〜19:30

【18日午前】
9:00-9:25
1. 塗布型ボトムコンタクト有機TFTの接触抵抗
○田添将靖、杉本慎太郎、李相根、イップ ゴードン、服部励治(九大)、酒井良
正、大野玲、荒牧晋司(三菱化学)

9:25-9:50
2. 変位電流評価法で評価したPentacene FETのAmbipolar特性
○小川　賢(東北大)、木村康男、石井久夫、庭野道夫(東北大/CREST)

9:50-10:15
3. TFT-OLEDの駆動方法における突抜誤差の補償方式
加藤正和、原裕司、○木村睦(龍谷大)

10:15-10:40
4. ポリジメチルシラン薄膜の構造と物性に関する一考察
古川昌司、 ○大多英隆、甲木昭彦(九工大)

10:55-11:20
5. ポリジヘキシルシラン薄膜の配向性に関する研究
○古川昌司、大多英隆(九工大)

11:20-11:45
6. イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源
○吉田知也，馬場昭好，浅野種正(九工大)

11:45-12:10
7. 半導体FeSi2/Siヘテロ構造の形成と整流特性
○吉武剛、シャバーン A. アームド、中島和浩、横山亘、永山邦仁(九大)

12:10-12:35
8. 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成
○上田公二、権丈淳、佐道泰造(九大)、小柳光正(東北大)、宮尾正信(九大)

12:35-13:00
9. 強磁性Fe3Si/半導体FeSi2ヘテロ積層膜の構造と電気磁気特性
○武田薫(九大/福岡工大)、吉武剛、小川哲也、原大輔、板倉賢、桑野範之、友清
芳二(九大)、梶原寿了(福岡工大)、永山邦仁(九大)