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平成17年3月電子情報通信学会SDM研究会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正
幹事 西岡泰城・大野守史 幹事補佐 高柳万里子
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新型不揮発性メモリ
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●日時：2005年3月11日(金) 10:00〜
●会場：機械振興会館 6階65号室
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
◆プログラム◆
10:00-10:05 （Opening Remark）
10:05-10:30
１．遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング
−RRAMの動作メカニズム解明を目指して−
○澤 彰仁（産総研CERC）、藤井健志、川崎 雅司（産総研CERC，東北大金研）、十倉 好紀（産総研CERC，東大物工）
10:30-10:55
２．高性能MRAM用MgOバリア層を用いたTMR薄膜の進展
○ダビッド ジャヤプラウィラ、恒川 孝二、前原 大樹、長井
基将、山形 伸二、渡辺 直樹、*湯浅 新治、**鈴木 義茂、*安藤 功兒（アネルバ、*産業技術総合研究所、**大阪大学）
10:55-11:20
３．0.18umMRAMをビークルとしたMRAM大容量化の検討
○山岸 肇、庄子 光治、山村 育弘、大塚 渉、中村 元昭、元吉 真、*鹿野 博司、*細見 政功、*別所 和宏、*成沢 浩亮、**八野 英生、**相良 敦、**森
寛伸、**福本 千恵子（ソニー セミコンダクタソリューションズネットワークカ ンパニー、*ソニー 情報技術研究所、**ソニーセミコンダクタ九州)
11:20-11:45
４．大容量、高速、低電力、6F2MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション
○浅尾 吉昭、甲斐 正、池川
純夫、土田 賢二、**石綿 延行、**波田 博光、**田原 修一、*與田 博明（東芝 研究開発センター、*東芝 セミコンダクター社、**日本電気 システムデバイス研究所）
11:45-12:10
５．高速／高信頼性130μm-node MRAM
〇上野 修一、栄森 貴尚、*黒岩 丈晴、古田 陽雄、土本 淳一、前島 伸六、辻 高晴、古賀 剛、大路譲（ルネサステクノロジ、*三菱電機）
12:10-13:10 昼休み(60分)
13:10-13:50
６．MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性（招待講演）
○清水 勝、野々村 哉、藤沢 浩訓、丹生 博彦、*本田 耕一郎（兵庫県立大学、*富士通研究所）
13:50-14:15
７．白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果
○山口 正樹、山本 麻、*増田 陽一郎（芝浦工業大学、*八戸工業大学）
14:15-14:40
８．減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構
○藤崎 芳久（日立製作所 中央研究所）、石原 宏（東工大）
14:40-15:05
９．MOCVDによる強誘電体PZT薄膜の作製とPZTキャパシタ特性のプロセス依存性
○西岡 浩、梶沼 雅彦、増田 健、木村 勲、菊地 真、神保 武人、植田 昌久、遠藤 光広、小風 豊、鄒 紅正（アルバック 半導体技術研究所）
15:05-15:20 休憩(15分)
15:20-15:45
１０．表面窒化SiO2バッファ層を有するMFIS構造
平川 雅一、○野田 実、奥山 雅則（大阪大学）
15:45-16:10
１１．金属／強誘電体／絶縁体／半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ
○會澤 康治、*高橋 憲弘、**朴
炳垠、*石原 宏（東工大 精研、*東工大 総理工、**ソウル市立大学）
16:10-16:35
１２．相変化メモリを利用した不揮発性SRAM
○高田 雅史、中山 和也、泉 貴富、新村 達、北川 章夫（金沢大学）
16:35-17:00
１３．Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入
○永井 武志、池田 弥央、村上 秀樹、東
清一郎、宮崎 誠一（広島大学）
17:00-17:25
１４．光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性
○柴口 拓、池田 弥央、東
清一郎、宮崎 誠一（広島大学）
17:25-17:30（Closing Remark）
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