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平成17年1月電子情報通信学会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
研究専門委員長 堀口 文男
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「低誘電率層間膜，配線材料および一般」
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(応物シリコンテクノロジー分科会共催)
【開催日】 平成17年1月31日(月) 10:00〜17:00
【開催場所】
機械振興会館(東京タワー向かい) 6階67号室
（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）
◆プログラム◆
10：05〜10：30
１．オンチップGHz伝送線路配線
伊藤浩之，井上淳平，五味振一郎，杉田英之，岡田健一，益一哉 （東工大）
10：30〜10：55
２．10GHzを超えるクロックのキャビティによる伝達方法とその特性
加藤初弘，小堀孝哉，近藤英一，秋津哲也 （山梨大学 大学院）
10：55〜11：20
３．超純水電解加工（超純水による電気化学的加工方法）のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
野路 郁太郎，小畠 厳貴，安田 穂積，飯泉 健，粂川 正行，和田 豊，福永 明，辻村 学，當間 康*，鈴木 作*，斎藤 孝行* （荏原製作所，荏原総研*）
〜休憩〜
11：30〜11：55
４．エチレン基含有ポーラスシリカ膜の空孔評価
内田恭敬，大平俊行*，鈴木良一*，丸山善之，加藤智博，石田宏一 （帝京科学大学，*産総研）
11：55〜12：20
５．ポーラスlow-k膜のk値上昇（TDDI）メカニズムと信頼性向上技術
龍崎大介，桜井治彰*，阿部浩一*，武田健一，福田宏 （日立製作所，日立化成工業*）
〜休憩〜
13：20〜13：45
６．45nmノード向け高信頼Cuデュアルダマシン配線のためにPVD/ALD/PVD積層バリアメタル構造
東和幸，山口人美，尾本誠一*，坂田敦子*，堅田富夫*，松永範昭，柴田英毅 （東芝 SoC研究開発センター，プロセス技術推進センター*）
13：45〜14：10
７．CuAg合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
磯林厚伸，榎本容幸，山田博*，高橋新吾，門村新吾 (ソニー，ソニーセミコンダクタ九州*)
14：10〜14：35
８．CuAl合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
前川和義，森健壹，小林清輝，米田昌弘，Niranjan Kumar*，Schubert Chu*，Samuel Chen*，Gigi Lai*，Daniel Diehl** （ルネサステクノロジ，Applied Materials*，AMJ**）
〜休憩〜
14：45〜15：10
９．無電解ボトムアップめっきにおける添加剤の効果
新宮原正三，小畑涼，加藤敦史，王増林，八重樫道，坂上弘之，高萩隆行 （広島大）
15：10〜15：35
１０．超臨界CO2メタライゼーション 〜Cu/Ru/絶縁膜構造の実現〜
近藤英一 （山梨大学 大学院）
〜休憩〜
15：45〜16：10
１１．65nm node以降へ向けたNCS/Cu多層配線
杉浦巌，中田義弘，三沢信裕*，大塚敏志*，西川伸之*，射場義弘*，杉本文利*，説田雄二*，酒井久弥*，小浦由美子*，水島賢子，鈴木貴志，北田秀樹，中野憲司*，柄沢章孝*，大倉嘉之*，河野隆宏*，綿谷宏文*，中井聡*，中石雅文*，清水紀嘉，福山俊一*，中村友二，宮嶋基守*，矢野映 （富士通研，富士通*）
16：10〜16：35
１２．ULSI多層配線層間絶縁膜の空孔構造制御による低消費電力化
林 喜宏，伊藤 文則，竹内 常雄， 多田 宗則，田上 正由，大竹 浩人，肱岡 健一郎 （NEC）
16：35〜17：00
１３．130, 90, 65 nm 及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
宮島秀史，渡辺桂，藤田敬次，伊藤祥代，田渕清隆*，島山努*，秋山和隆，蜂谷貴世，東和孝，中村直文，梶田明広，松永範昭，榎本容幸*，金村龍一*，猪原正弘，本多健二，上條浩幸，中田錬平，矢野博之，長谷川利昭*，門村新吾*，柴田英毅，依田孝 （東芝，ソニー*）
17：05 閉会
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