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SDM研究会1月研究会/
シリコンテクノロジー分科会ULSIデバイス研究委員会研究会
IEDM特集
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電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）
専門委員長　堀口文男　副委員長　浅野種正
幹事　西岡泰城　幹事補佐　高柳万里子

●日時　平成17年1月21（金）9:30 - 17:10
●会場　日本大学理工学部船橋キャンパス　13号館1326教室
　　〒274-8501 千葉県船橋市習志野台7-24-1
　　交通　東葉高速鉄道　船橋日大前駅徒歩０分
　　詳しくは　http://www.cst.nihon-u.ac.jp/c_guide/access.html
　　をご覧下さい．
●テーマ　「IEDM特集（先端CMOSデバイス・プロセス技術）」

◆プログラム◆

午前
9:30〜11:40
1. IEDM2004を振り返って（講演者未定）

2. Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性
○若林整，江崎達也，羽根正巳（NECシステムデバイス研），池澤健夫（NEC情報システムズ），阪本利司，川浦久雄（NEC基礎・環境研），山上滋春，五十嵐信行，竹内潔，山本豊二（NECシステムデバイス研）

3.　高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET
○沼田敏典, 入沢寿史, 手塚勉, 古賀淳二, 平下紀夫, 臼田宏治（MIRAI-ASET）,豊田英二（東芝セラミックス）,宮村佳児（コマツ電子金属）, 田邊顕人, 杉山直治（MIRAI-ASET）,高木信一（MIRAI-ASET，東京大学）

4.　チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET
○菰田泰生（東芝セミコンダクター社）

5.　Si(100),(110),(111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー
○入江宏，喜多浩之，弓野健太郎，鳥海明（東京大学）

午後
12:45〜14:50
6.　集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証
○齋藤真澄，原田英浩，平本俊郎（東京大学）

7.　組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET
○高橋健介，間部謙三，五十嵐多恵子，五十嵐信行，長谷卓，吉原拓也，渡部平司，辰巳徹，望月康則（NECシステムデバイス研）

8.　ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響
○三谷祐一郎（東芝）

9.　HfO2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル
○鳥居和功（半導体先端テクノロジーズ），白石賢二（筑波大学，物質材料研究機構），宮崎 誠一（広島大学），山部紀久夫（筑波大学，物質材料研究機構），M. Boero（筑波大学），知京 豊裕（物質材料研究機構），山田啓作（早稲田大学，物質材料研究機構），北島洋，有門経敏（半導体先端テクノロジーズ）

10.　HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針
○渡辺健，高柳万里子，小島健嗣，関根克行，山崎博之，江口和弘，石丸一成（東芝セミコン ダクター社）

15:10〜16:50
11.　Wide-range バックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術
○土屋龍太，堀内勝忠，木村紳一郎，山岡雅直，河原尊之（日立製作所），前川繁登，一法師隆志，大路譲（ルネサステクノロジ），松岡秀行（日立製作所）

12.　ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価
○福留秀暢（富士通研究所），籾山陽一，久保智裕，田川幸雄（富士通），青山敬幸，有本宏（富 士通研究所）

13.　90/130nm テクノロジのCMOS回路におけるソフトエラーの包括的な研究
○戸坂義春（富士通研究所），江原英郎，井桁光昭（富士通），上村大樹，岡秀樹（富士通研究所），松岡伸行，畑中吉治（大阪大学RCNP）

14.　キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ
○田中徹，吉田英司，宮下俊彦（富士通研究所）

16:50〜17:10
総合討論

17:30〜
懇親会（学内食堂，2000円程度徴収の予定）

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