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平成16年12月電子情報通信学会SDM研究会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
専門委員長 堀口文男 副委員長 浅野種正
幹事 西岡泰城 幹事補佐 高柳万里子
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−特集：シリコン関連材料の作製と評価−
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【日時】 平成16年12月16日（木） 10:00〜17:20
【会場】 京都大学桂キャンパス A1棟 地下１階 第一講義室
所在地：京都市西京区京都大学桂
タクシー：京都駅より約40分，JR向日町より約15分, 阪急桂より
約10分
バス：阪急桂駅から西6系統乗車約15分, 「京大桂キャンパス前」
下車 徒歩1分
詳しくはhttp://www.kogaku.kyoto-u.ac.jp/katsura/index.htm
をご覧下さい
◆プログラム◆
●午前
10:00-10:20
1. 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析
○登尾正人・神崎庸輔・須田淳・木本恒暢・松波弘之(京都大)
10:20-10:40
2. SiC RESURF MOSFETにおける最適ドーズ設計
○河野広明・木本恒暢・須田淳・松波弘之(京都大)
10:40-11:00
3. 液体クラスターイオンビームによるSi基板表面照射効果
○川下将一・野口英剛・中山和也・高岡義寛(京都大)
11:00-11:20
4. 陽極化成法によるp型シリコンのマクロポアおよび針状結晶の形成
○御手洗夕子・原田曠嗣・石丸寛之・松本晋・森圭子(島根大)
11:20-11:40
5. PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価
○寒川雅之・金島岳・吉田真人・多田泰三・奥山雅則・藤本晶(大阪
大)
11:40-12:00
6. BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性
○山口正樹・山本麻・佐藤嘉國(芝浦工業大)・増田陽一郎(八戸工業
大)
●午後
13:00-13:30
7. 鉄シリサイドの結晶成長と電気，光学特性の改善[招待論文]
○前田佳均(京都大)・寺井慶和(大阪大)
13:30-13:50
8. シリコン薄膜のレーザ結晶化
○鮫島俊之・渡壁創・安藤伸行(東京農工大)・東清一郎(広島大)
13:50-14:10
9. ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 -結晶成長と水素の関係-
○河本直哉(山口大)・増田淳(北陸先端科学技術大学院大)・ 松尾直人(兵庫県立大)・西森才将(山口大)・瀬里泰洋・松村英樹 (北陸先端科学技術大学院大)・原田泰典(兵庫県立大)・
浜田弘喜(三洋電機)・三好正毅(山口大)
14:10-14:30
10. イオンドーピングした不純物の活性化
○鮫島俊之・安藤伸行(東京農工大)
14:30-14:50
11. 超極薄ゲートSiO{_2}膜Poly-Si CMOSトランジスタのホットキャリア劣化
○宮下誠・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木隆(奈良先端大)・
芹川正(東京大)
14:50-15:10
12. 多結晶シリコン薄膜トランジスタの動作特性解析
○鮫島俊之・渡壁創・安藤伸行(東京農工大)
15:10-15:30
休憩
15:30-15:50
13. 低温Poly-Si TFT における発熱劣化の解析
○北島浩司・菅原裕太・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木隆 (奈良先端大)・
橋本伸一郎・森田幸弘(松下電器)
15:50-16:10
14. 新構造TFTのAM-OLEDへの応用
○松尾直人(兵庫県立大)・河本直哉・山本暁徳(山口大)
16:10-16:30
15. Side-Wall 電極型PECVDによるSiナノドットメモリ
○市川和典・向正人・P.Punchaipetch・矢野裕司・畑山智亮・浦岡
行治・ 冬木隆(奈良先端大)・高橋英治・林司・緒方潔(日新電機)
16:30-16:50
16. Sub-keV As+注入における深さ方向プロファイルの評価
○江藤隆則・芝原健太郎(広島大)
16:50-17:20
17. 高密度低消費電力FeRAMメモリセルアーキテクチャー[招待論文]
○平野博茂(松下電器)
◎18:00より懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。
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【 お問い合わせ先】
TEL (075)383-2300 木本恒暢（京都大学）
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