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平成16年9月電子情報通信学会SDM研究会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
研究専門委員長 堀口 文男
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−特集：プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般−
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【日時】
平成16年 9月27日（月） 13:00〜18:00
9月28日（火） 10:00〜16:15
【会場】
機械振興会館 地下3Ｆ 研修1号室
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通手段 地下鉄神谷町下車徒歩10分）
◆プログラム◆
●9月27日（月）午後
1. p-i-nフォトダイオードの高周波応答特性のモデル化
◯金野幸吉・松島理・原清仁・鈴木学・Dondee Navarro・三浦道子（広島大学）
2. FD-SOI MOSデバイスのRFモデリングに関する検討
○清水由幸・金奎哲・村上豊生・上田啓介・洞木吉博・車承佑・松岡俊匡・谷口 研二 （大阪大学）
3. 非同期式プロセッサのパイプライン化アルゴリズム ---条件分岐のない場合 ---
○籠谷裕人・岡本卓爾（岡山大学）
4. Elmore遅延を用いた配線遅延ばらつきの相関計算手法について
○冨田雅彦・築山修治（中央大学）
5. 【フェロー記念講演】回路シミュレーションの立上げと物理設計ＣＡＤの実用化
○秋濃俊郎(近畿大)
6. 【招待講演】DAC2004報告 −物理設計技術−
○黒川敦(STARC)
7. 【招待講演】65nm世代以降のリソフレンドリ設計技術
○小谷敏也(東芝)
●9月28日（火）午前
8. 分子動力学シミュレーションによるプラズマエッチング表面反応機構の解析
○浜口智志（大阪大学）
9. 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化
○望月麻理恵・内田哲也・竹中正浩・伊藤早苗・石川英明・藤永正人・和田哲典（半導体先端テクノロジーズ）
10. ITRS 2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析
○芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研究所）
11. 極薄SOIMOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討
○川本敏貴・小宮健治・大村泰久（関西大学）
●9月28日（火）午後
12. 3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討
○田辺亮・山崎隆浩・芦澤芳夫・岡秀樹（富士通研究所）
13. MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価
○岡垣健・谷沢元昭・内田哲也・国清辰也・園田賢一郎・五十嵐元繁・石川清志
（ル ネサステクノロジ）・小谷教彦（広島国際大学）
14. Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算
○岡本真輝・竹田裕・森伸也（大阪大学）
15. 量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝播解析
◯酒井敦・鎌倉良成・谷口研二（大阪大学）
16. 運動論的観点からの準弾道電子輸送の理論的考察
○佐野伸行（筑波大学）
17. ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性
○土屋英昭・堀野元気・淺沼昭彦・三好旦六（神戸大学）
18. 分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細ninダイオードの電流
解析
○鎌倉良成・谷口研二（大阪大学）
◆応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 モデリング研究委員会 共催
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【 お問い合わせ先】
鎌倉良成(大阪大学） kamakura@eie.eng.osaka-u.ac.jp]
☆SDM研究会今後の予定 ［］内は発表申込締切日
●10月研究会
日程：10月14日(木)，15日(金）
場所：東北大学
テーマ：「プロセスクリーン化と新プロセス技術」
[8月9日(月)]
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