SDM0406program

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　平成16年6月電子情報通信学会SDM研究会
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
研究専門委員長　堀口文男

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「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」
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※合同開催
応用物理学会　シリコンテクノロジー分科会　第61回研究集会
　　「ゲート絶縁膜の現状と課題～信頼性を中心に～」
電気学会　誘電体薄膜応用（調）委員会電子材料研究会
　　「誘電体薄膜の信頼性」

【開催日】　　平成１６年６月２１日（月）、２２日（火）

【開催場所】　機械振興会館　地下3階会議室　B3-2
〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8
交通：地下鉄日比谷線神谷町駅下車徒歩6分
都営三田線御成門駅下車徒歩7分
都営大江戸線赤羽橋駅下車徒歩7分
都営浅草線・大江戸線大門駅下車徒歩9分
JR浜松町駅下車徒歩15分
詳細は，下記ホームページをご覧下さい。
http://www.jspmi.or.jp/map.htm

◆プログラム◆

●6月21日（月）

13：00-13：20
非対称駆動法による非破壊読み出しＦｅＲＡＭのインプリント耐性改善
○香山　信三,　加藤　剛久,　山田　隆善,　嶋田　恭博松下電器産業　半導体社　半導体デバイス研究センター

13：20-13：40
低コストと高性能を両立させた65nm世代対応多層配線技術（仮題）
○植木誠、成廣充、大竹浩人、田上政由、多田宗弘、伊藤文則、原田恵充、阿部真理、井上尚也、新井浩一、竹内常雄、斉藤忍、小野寺貴弘、古武直也、*廣井政幸、*関根誠、林喜宏ＮＥＣシステムデバイス研究所シリコンデバイスＴＧ *ＮＥＣエレクトロニクス

13：40-14：00
65nmCMOS配線プラットフォーム技術（仮題：交渉中）
○本多　健二、他 (株)東芝セミコンダクター社

14：00-14：20
TEMトモグラフ法によるLow-k膜空孔の３次元構造の評価、および空孔構造のプロセスへ与える影響
○島田美代子、*島貫純一、大塚信幸、古谷晃、*井上靖秀、**小川真一（株）半導体先端テクノロジーズ（Selete）、*（株）日産アーク、**現：松下電器産業（株）

14：20-14：40
SiO2/Si界面下に誘起された格子歪み ― 位相敏感Ｘ線回折法による
○矢代航、三木一司、*隅谷和嗣、*高橋敏男、**依田芳卓、***高橋健介、 ***服部健雄物材研ナノマテ産総研ナノテク、*東大物性研、**SPring-8、***武蔵工大工

14：40-15：00
ラジカル窒化過程におけるエネルギーバンドギャップ形成機構のSTM/STS解析
○近藤博基、*河合圭悟、宮崎香代子、酒井朗、財満鎭明、*安田幸夫名古屋大学大学院工学研究科、 *(現)NECエレクトロニクス株式会社、**(現)高知工科大学総合研究所

15：00-15：20　休憩（20分）

15：20-15：40
成膜温度上昇によるMOCVD HfO2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下
○*藤井眞治、**宮田典幸、**右田真司、**堀川剛、***鳥海明半導体MIRAI-ASET、**半導体MIRAI-AIST、***半導体MIRAI-AIST/東大工 *(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター

15：40-16：00
HfO2/SiNx/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価
○中川博、大田晃生、竹野文人、長町学、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一広島大学大学院先端物質科学研究科

16：00-16：20
放射光光電子分光による高誘電率膜HfO2, ZrO2/Si界面反応の評価
○豊田智史、岡林潤、組頭広志、尾嶋正治、*臼田宏治、*丹羽正昭、*劉国林東京大学大学院工学系研究科、*STARC

16：20-16：40
HfAlOx/SiOx/Si(100)スタック構造の光電子分光分析
○大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 *川原孝昭、*鳥居和功（株）広島大学大学院先端物質科学研究科、*半導体先端テクノロジーズ

16：40-17：00
窒素励起活性種をもちいたPLD-HfSixOy膜への窒素導入
○中村秀碁、プラカイペッチパンチャイペッチ、矢野裕司、畑山智亮、浦岡行治、冬木隆、*堀井貞義奈良先端科学技術大学院大学、*日立国際電気

17：00-17：20
気液ハイブリッド（VALID）法によるハフニウムシリケート膜の成長とその電気特性
○玄一、北條大介、安田哲二 MIRAI、次世代半導体研究センター、産業技術総合研究所

17：30-19：30　懇親会
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●6月22日（火）

9:30-10:00
Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関
○ 植松真司、影島博之、高橋庸夫＃、*深津茂人、*伊藤公平、**白石賢二 NTT物性科学基礎研究所、*慶応大理工、**筑波大物理、（＃現：北大） 10:00-10:25 ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価 ○ 河瀬和雅、*井上真雄、*赤松泰彦、*丸山祥輝、*梅田浩司、黒川博志、 **寺本章伸三菱電機　先端総研、*ルネサステクノロジ、**東北大未来科学技術共同研究センター

10:25-10:50
Si/SiO2界面の窒素によるトラップレベルの発生
〇山崎隆浩、金田千穂子富士通研究所

10:50-11:15
NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ
○ 辻川真平、赤松泰彦、梅田浩司、由上二郎ルネサステクノロジ

11:15-11:45
不バイアス温度不安定性（NBTI) とその回復現象(仮題)
○ 三谷　祐一郎、佐竹　秀喜＃東芝研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー、（＃現：半導体MIRAIプロジェクト）

11:45-13:00　昼休み(75分)

13:00-13:30
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価
○世古明義、*渡辺行彦、近藤博基、酒井朗、財満鎭明、安田幸夫＃名古屋大院工、*豊田中央研究所、(＃現：高知工科大学総合研究所)

13:30-13:55
酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響
○ 細井宏昭、鎌倉良成、谷口研二阪大院工

13:55-14:20
ESRによるHfO2薄膜の欠陥評価
○ 金島岳、池田幸司、多田泰三、寒川雅之、奥山雅則大阪大院基礎工

14:20-14:45
XPS時間依存測定法によるHfAlOx膜中の電荷捕獲現象の評価
○ *,**廣瀬和之、**山脇師之、***鳥居和巧、***川原孝昭、****川尻智司、 ****服部健雄 *JAXA宇宙研、**総研大、***SELETE、****武蔵工大

14:45-15:05　休憩（20分）

15:05-15:30
C-AFMによるHfO2/SiO2スタック構造におけるリークスポットの直接観察
○弓野　健太郎、喜多　浩之、鳥海　明東京大工マテリアル工学科

15:30-16:00
HfAlOx/SiO2 ゲート絶縁膜の過渡電流特性（仮題）
○樋口恵一、後藤正和、*鳥居和功、上殿明良、山部紀久夫筑波大物理工、*Selete

16:00-16:25
polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊
○鳥居　和功、大路　洋、武藤　彰良、川原　孝昭、三橋　理一郎、堀内　淳、 *宮崎　誠一、北島　洋半導体先端テクノロジーズ、*広島大学

16:25-16:50
HfSiO(N)における欠陥生成と破壊機構
○平野　泉、山口　豪、三谷　祐一郎、*関根　克行、*高柳　万里子、*江口　和弘、*綱島　祥隆、佐竹　秀喜東芝研究開発センター、*東芝セミコンダクター社

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【お問い合わせ先】

信学会、SDM側
宮崎誠一(広島大）　miyazaki@sxsys.hiroshima-u.ac.jp
西岡泰城（日本大)　nishioka@eme.cst.nihon-u.ac.jp
羽路伸夫(横浜国大）　nob@dnj.ynu.ac.jp

応物、シリコンテクノロジー分科会側
金田千穂子（富士通研究所） kaneta.chioko@jp.fujitsu.com
野平博司（武蔵工業大）nohira@ee.musashi-tech.ac.jp

電気学会　誘電体薄膜応用（調）委員会側
上野　智雄（東京農工大学）tomoueno@cc.tuat.ac.jp

☆SDM研究会今後の予定
●7月研究会
AWAD2004 　「先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ」
開催日時：平成１６年６月３０日(水)～７月２日(金)
開催場所：ユトレヒト会議場(長崎、ハウステンボス公園内)

●8月研究会
特集テーマ：「VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低電力)」
締め切り：6月11日(金)
開催日時：平成１６年８月１９日(木)、２０日(金）
開催場所：北見工大

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