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平成16年5月電子情報通信学会
SDM研究会開催予告と論文募集のご案内
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シリコン材料・デバイス研究専門委員会
研究専門委員長 徳光 永輔
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「結晶成長評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、その他の電子材料）」
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【開催日】 ２００４年５月１３日（木）13:00〜17:15 １４日（金）9:00〜16:45
【開催場所】 静岡大学 浜松キャンパス 電子科学研究科会議室（4F）
〒432-8011静岡県浜松市城北3-5-1
JR浜松駅より遠鉄バス静岡大学下車(所要時間20分，15，16番のりば)
◆プログラム◆
●5月13日午後
１． 13:00〜13:30
MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層
○梅澤昌義，小林佳津，高野泰，福家俊郎（静大）
２．13:30〜14:00
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価
○小泉淳，大西宏幸，大渕博宣，鷹羽一輝，田渕雅夫，久野尚志，平田智也（名大），山内武志（JST-CREST），島田里美，人見伸也，山川市朗，中村新男，竹田美和（名大）
３．14:00〜14:30
MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価
○森 敬洋，井上大那，井上優樹，田渕雅夫，竹田美和（名大）
４．14:30〜15:00
MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製
○本田善央，中村剛，山口雅史，澤木宣彦（名大）
５．15:15〜15:45
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究
○伊藤真也，津間博基，若原昭浩，岡田 浩，吉田 明（豊技大）
６．15:45〜16:15
III−V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析
○久留真一，山田寛之，大賀 涼，田渕 雅夫，竹田 美和（名大）
７．16:15〜16:45
GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長
○岩瀬隆幸，福家俊郎，高野泰（静大）
８．16:45〜17:15
ZnGeN2エピタキシャル薄膜の光学的特性
○重久 慶，三崎貴生，若原昭浩，吉田 明，岡田 浩（豊技大）
●5月14日午前
１． 9:00〜9:30
Si/SiO2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果
○石川靖彦，長田浩平，池田浩也，田部道晴（静大）
２． 9:30〜10:00
リモートプラズマＭＯＣＶＤによるＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ量子ドット作製
○小山貴士，青木 徹，天明二郎（静大）
３． 10:00〜10:30
ＺｎＯ量子ドット作製における基板状態の影響
○中川 聡，中村篤志，青木 徹，天明二郎（静大）
４．10:45〜11:15
石英アンプルによるLi二次電池用Mn3O4薄膜の生成
○以西雅章，上木原浩輝，清水寛俊，永塩豊，藤安洋（静大）
５．11.15〜11.45
光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価
○宮脇哲哉，小林
良平，市村正也，荒井英輔（名工大）
６．11.45〜12.15
電気化学堆積(ECD)法によるSnS薄膜の作製と評価
○大本 郁，Naglaa Fathy，市村正也，荒井英輔（名工大）
７．13:30〜14:00
電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価
以西雅章，○市川哲章，深谷健太郎，増田健一郎，稲垣優輝，柴田佳幸，藤安洋（静大）
８．14:00〜14:30
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
以西雅章，○稲垣優輝，増田健一郎，深谷健太郎，杉田樹宏，田鍋智章，藤安洋（静大）
９．14:30〜15:00
4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光容量過渡応答（O-CTS）法を用いた評価
○田中正一，加藤正史，市村正也，荒井英輔（名工大），中村俊一，木本 恒暢（京大）
１０．15:15〜15:45
Electron beam irradiation effects on GaAs on Si substrate（Si基板上GaAsへの電子線照射効果
○Nallathambi Chandrasekaran，犬塚洋介，田口裕規，曽我哲夫，神保孝志（名工大），今泉充（宇宙航空研究開発機構）
１１．15:45〜16:15
ＣｄＴｅ高エネルギー放射線検出素子の作製とＸ線イメージングへの応用
○坂下大祐，石田 悠，青木 徹（静大），富田康弘（浜松ホトニクス），畑中義式（愛知工科大），天明二郎（静大）
１２．16:15〜16:45
SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較
○森 健洋，加藤正史，市村正也，荒井英輔（名工大），住江伸吾（コベルコ科研），橋爪
英久（名工大）
☆☆SDM研究会今後の予定 [ ]内発表申込締切日
★6月21日(月)、22日(火)
「ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術」
機械振興会館(応物シリコンテクノロジー分科会共催)[締切済]
★6月30日(水)ー7月2日(金)
AWAD2004「先端デバイスの基礎と応用に関する
アジアワークショップ」
ユトレヒト・コンファレンス・プラザ(佐世保市)
(ED研、大韓電子工業会共催)[締切済]
★8月19日(木)、20日(金)
「VLSI回路、デバイス技術(高速、低電圧、低電力)」
北見工大(ICD研共催)[6月中旬]
【発表申込・問合先】
浅野種正(九州工大)
E-mail: asano@cms.kyutech.ac.jp
西岡泰城(日大)
E-mail: nishioka@eme.cst.nihon-u.ac.jp
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