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平成１５年２月　SDM/ED合同研究会プログラム
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●日時　：　平成15年2月10日（月）13：00−17：05　　2月11日（火）9:30−16:25
●会場　：　北海道大学学術交流会館第１会議室
　（札幌市北区北８条西5丁目、JR札幌北口西側出口より徒歩10分）
　TEL(011)706-7171 ：赤澤、葛西
●議題　：　「量子効果デバイスおよび関連技術」
◆共催　：　北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

招待講演：発表35分＋質問5分、一般講演：発表20分＋質問5分


−プログラム−

［２月10日（月）］
セッション１　量子効果デバイスによる新機能回路
13:00−14:55

1（招待講演）「シリコン単電子素子とその応用」
内田建、棚本哲史、古賀淳二、大場竜二、安田心一、藤田忍（東芝）
13:00−13:40

2「量子ドット集積体による反応拡散系」
大矢剛嗣、上野友邦、浅井哲也、雨宮好仁（北大）
13:40−14:05

3「ＲＴＤを用いた超高速フラッシュＡＤＣの設計」
辻裕樹、山田英明、和保孝夫（上智大）
14:05−14:30

4「化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築」
葛西誠也、湯元美樹、長谷川英機（北大）14:30−14:55

＜休憩＞

セッション２　量子効果デバイス作製プロセス
15:10−17:05

5（招待講演）「ナノリソグラフィー技術のデバイス応用」
川浦久雄、阪本利司、砂村潤、馬場雅和、佐野亨、飯田一浩、井口憲行、馬場寿夫（NEC）
15:10−15:50

6「MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用」
佐藤威友、玉井功、吉田崇一、長谷川英機（北大）
15:50−16:15

7「ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF2/CaF2共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性の構造依存性」
渡辺正裕、松田克己、藤岡裕智、金澤徹、浅田雅洋（東工大）
16:15−16:40

8「(4x6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化」
アナンタタナサン・サグァン、長谷川英機（北大）
16:40−17:05

★10日の研究会終了後、量子集積エレクトロニクス研究センターの見学会と懇親会を予定しております。

［２月11日（火）］

セッション３　量子現象の観測および物性評価
9:30−11:50

9（招待講演）「半導体２重量子ドットにおけるスピン依存伝導」
大野圭司、樽茶清悟（東大）
9:30−10:10

10「位置制御成長カーボンナノチューブへの欠陥誘起による電気特性変化」
上村崇史（筑波大学）、坂本一恵、前田雅俊、倉知孝介（明治大学）、松本和彦（産業技術総合研究所、筑波大学）
10:10−10:35

11「多層カーボンナノチューブへのクーパー対注入」
宮台信一郎、高沢一也、武田亜希、堀七波、武末出美、神田優子、春山純志（青学大）、杉山直之（東レ）
10:35−11:00

12「Y字型カーボンナノチューブの創製とその電子物性」
楠本裕亮、三留雅幸、神田優子、春山純志（青学大）
11:00−11:25

13「深さ分解CL法によるGaN結晶中の Yellow Luminescence の評価」
石川史太郎、長谷川英機（北大）
11:25−11:50

＜昼食＞

セッション４　量子効果デバイスの作製および動作解析
13:00−16:25

14（招待講演）「カーボンナノチューブを用いた量子ドットデバイス」
石橋幸治（理研）、鈴木正樹（理研）、津谷大樹（千葉大）、青柳克信（東工大・理研）
13:00−13:40

15「カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製」
大野雄高、岩附伸也、岸本茂、岡崎俊也、篠原久典、水谷孝（名大）
13:40−14:05

16「高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード」
杉山弘樹、松崎秀昭、小田康裕、横山春喜、榎木孝知、小林隆（NTT）
14:05−14:30

＜休憩＞

17「金属、半導体量子ドットトランジスタの電流特性の解析」
藤橋忠悟（東京工芸大）
14:45−15:10

18「MOBILEの過渡応答と動作速度解析」
松崎秀昭、福山裕之、榎木孝知（NTT）
15:10−15:35

19「極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ」
齋藤真澄、永田英次、平本俊郎（東大）
15:35−16: 00

20「弗化物混晶系ヘテロ構造を用いたシリコン基板上の共鳴トンネルダイオード」
渡邉聡、前田元輝、筒井一生（東工大）
16:00−16:25