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平成１４年１０月シリコン材料・デバイス研究会（ＳＤＭ）プログラム
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専門委員長 徳光永輔 副委員長 渡辺重佳
幹事 赤澤正道・浅野種正 幹事補佐 平谷正彦
日時 平成14年10月28日（月） 13:30〜17:30
29日（火） 9:30〜15:45
会場 東北大学工学部青葉記念会館4階大研修室
（仙台市青葉区荒巻字青葉 TEL〔022〕217-3977，〔022〕217-3986 小谷光司）
タクシー：仙台駅より約15分
バス：仙台駅西口バスプール9番のりばより乗車
（工学部経由宮教大，工学部経由青葉台，工学部経由青葉城址循環）
「工学部前」にて下車，徒歩2分
議題 ―特集：プロセスクリーン化と新プロセス技術―
−プログラム−
●28日午後
１．半導体製造プロセスにおけるCu汚染によるデバイス信頼性劣化とそのメカニズム
○朴澤一幸，由上二郎（日立）
２．非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価
○河瀬和雅，谷村純二，黒川博志，若尾和年，井上真雄，梅田浩司（三菱電機）
３．ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討
○井上真雄，丸山祥輝，河瀬和雅，梅田浩司，大野吉和（三菱電機）
４．ラジカル酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響に関する研究
〇樋口正顕，諏訪智之，大嶋一郎，程イ涛，寺本章伸，須川成利，大見忠弘（東北大）
５．真空紫外光を用いた極薄界面酸化膜、酸窒化膜形成
〇青山真太郎，井下田真信，神力博（東京エレクトロン）
６．Si(100)面の原子オーダー平坦化における1/fノイズ低減効果
○田中康太郎，渡辺一史，石野英明，須川成利，寺本章伸，平山昌樹，大見忠弘（東北大）
７．(110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
○百瀬寿代，大黒達也，小島健嗣，中村新一，豊島義明（東芝）
●29日午前
１．フルオロカーボンプラズマのSiO2表面における反応ダイナミクスに関する計算化学的検討
○篠田克己，横須賀俊之，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），新村忠，加納正明（東芝），宮本明（東北大）
２．高速化量子分子動力学法によるCu-CMPプロセスの解析
○横須賀俊之，磯田直征，篠田克己，草谷友規，三浦隆治，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），宮本明（東北大）
３．高誘電体酸化物/シリコン界面の創りこみ技術
○平谷正彦，鳥居和功，嶋本泰洋，斉藤慎一，由上二郎（日立）
４．強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
○徳光永輔（東北大／東京工大），貴志真士（東京工大）
●29日午後
５．半導体材料の電気伝導度に関する計算化学的検討
○横須賀俊之，磯田直征，篠田克己，草谷友規，三浦隆治，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），藪原秀彦，牧野伸顕（東芝），宮本明（東北大）
６．高速化量子分子動力学法によるSiGeのバンド構造解析
○横須賀俊之，磯田直征，篠田克己，草谷友規，三浦隆治，遠藤明，久保百司（東北大），今村詮（広島国際学院大），藪原秀彦，加納正明（東芝），宮本明（東北大）
７．段階投資型半導体製造施設の研究
○山崎喜郎，須川成利，大見忠弘（東北大）
８．日本の半導体研究開発戦略の現状と今後
○佐伯俊則（経済産業省東北経済産業局）
９．産業構造の変化とわが国半導体産業の展望
○中島一郎（産業技術総合研究所）
◎28日18:00より，懇親会を企画しております。奮ってご参加ください。
★SDM研究会今後の予定[ ] 内は発表申込締切日
※詳しくはhttp://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlをご覧下さい。
11月28日(木), 29日(金) 機械振興会館
「先端CMOS及びプロセス関連技術」[9月19日(木)]
12月20日(金) 京都大学工学部電気総合館(京大本部キャンパス)
「シリコン関連材料の作製と評価」[10月18日(金)]
【発表申込・問合先】
赤澤正道（北海道大学）
TEL (011)706-6875, FAX (011)716-6004
E-mail：akazawa@rciqe.hokudai.ac.jp
浅野種正（九州工業大学）
TEL (0948)29-7582，FAX (0948)29-7586
E-mail：asano@cms.kyutech.ac.jp