*********** テーマ ***********
強誘電体薄膜とメモリ応用
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日時 3月14,15日(木,金)
3月14日(木) 10:30 - 16:50
(フロンティア棟見学会と懇親会があります)
3月15日(金) 9:15 - 12:15
会場 東京工業大学すずかけ台キャンパス(旧 長津田キャンパス)
総合研究館 大会議室 (〒226-8503 横浜市緑区長津田町)
キャンパス地図は下記,WEBの<総研地区>をクリック
http://www.titech.ac.jp/maps/nagatsuta/index-j.html
アクセス 東急田園都市線すずかけ台下車 徒歩5分
詳細 http://www.titech.ac.jp/maps/index-j.html
*********** プログラム ***********
3月14日(木)
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1.10:30-10:55
a,b軸配向エピタキシャルBi4Ti3O12基薄膜の合成と特性評価
○渡辺 隆之 [東工大総理工],伊佐 寛・佐々木 敦 [東工大応セラ研]
吉本 護・長田 実 [科技団・さきがけ],野口 祐二・宮山 勝 [東大生産研]
斎藤 啓介 [日本フィリップス],鈴木 利昌・藤本 正之 [太陽誘電]
舟窪 浩 [東工大総理工]
2.10:55-11:20
フラッシュランプを用いた新しいPZT膜結晶化技術
○山川 晃司・今井 馨太郎・有隅 修 [(株)東芝セミコンダクター社]
吉岡 正樹・大和田 樹志 [ウシオ電機(株)]
奥村 克弥 [東京大学]
3.11:20-11:45
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O3薄膜の低温成長と核付けが及ぼす効果
○岡庭 守・藤沢 浩訓・清水 勝・丹生 博彦 [姫工大工学部]
4.11:45-12:10
水熱法によるPZTとBaTiO3の低温作製
○魏 志強・野田 実・奥山 雅則 [阪大院基礎工学研究科]
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昼食 12:10-13:00
見学会 13:00-14:00 フロンティア研究棟
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5.14:10-14:35
La置換および空孔導入によるSrBi2Ta2O9の低抗電界化
?Defect Engineering による分極特性制御?
○宮山 勝・野口 祐二 [東大生研]
6.14:35-15:00
Bi4Ti3O12薄膜組成によるMFIS構造の特性
○山口 正樹・長友 隆男 [芝工大工学部]
増田 陽一郎[八戸工業大学]
7.15:00-15:25
強誘電体BLTと高誘電率バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
○鈴木 卓哉・徳光 永輔 [東工大精密工学研]
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休憩 15:25-15:40
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8.15:40-16:05
1T2C型強誘電体メモリの作製及び評価
○小笠原 悟・石原 宏[東工大フロンティア研]
9.16:05-16:50【招待講演】
エンベデットFRAMの技術動向
大谷 成元 [(株)富士通研究所]
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懇親会 17:00-
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3月15日(金)
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1. 9:15- 9:40
不揮発性強誘電体ラッチ回路の新構成法と低電圧動作解析
○山本 修一郎・井上 進・石原 宏 [東工大フロンティア研]
2. 9:40-10:05
分極緩和を考慮したFeRAM非線形信頼性予測モデル
○井上 尚也・林 喜宏 [NECシリコンシステム研]
3.10:05-10:30
PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察
○木口 賢紀・脇谷 尚樹・篠崎 和夫・水谷 惟恭 [東工大共通施設]
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休憩 10:30-10:40
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4.10:40-11:25【招待講演】
サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi4Ti3O12基薄膜特性の設計
舟窪 浩 [東工大総理工]
5.11:25-11:50
スパッタ法で成膜したSBT薄膜の強誘電性評価
○中山 徳行・高梨 昌二・高塚 裕二 [住友金属鉱山(株)中央研究所]
6.11:50-12:15
AFMによるBi系強誘電体薄膜における自発分極配向の画像化
○符 徳勝・鈴木 一行・加藤 一実 [産総研セラミックス研究部門]
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☆ 研究会今後の予定 〔 〕内発表申込締切日
4月16日(火),17日(水),18日(木)
「有機ELおよび関連有機材料, 低温poly-SiとTFT技術」
九州工業大学 (ED,OME研究会共催) [2月中旬]
5月23日(木),24日(金)
「結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)」
名古屋大学 (ED,CPM研究会共催) [3月中旬]
※ 詳しくは,http://www.ieice.org/~sdm/jpn/index.htmlで。
【発表申込・問合先】
木本恒暢(京都大学)
TEL(075)753-5341,FAX(075)753-5342
E-mail:kimoto@kuee.kyoto-u.ac.jp
大野守史(MIRAIプロジェクト)
TEL(0298)61-5251,FAX(0298)61-5476
E-mail:morifumi.oono@aist.go.jp