研究会テーマ：「先端ＣＭＯＳ及びプロセス関連技術」
開催日時： 平成14年1月21日（月） 13：00-16：40
開催場所： 機械振興会館 地下３階１号室
| Sub-50-nm CMOS技術と電源電圧最適化 | |
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| 座長 日大 高橋先生 | 若林（ＮＥＣ） |
| ・ラジカル酸窒化法を用いたSTI端近傍のゲート絶縁膜改善による
高性能・高信頼サブ1.5nmゲート酸窒化膜形成 |
酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け |
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| 東郷(NEC) | 青山（富士通研究所) |
| ・HfO2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性 | ・Bulk CMOSと互換性のあるプロセスにて作製した
26nmSi層の0.11μｍ完全空乏型SOI CMOSデバイス |
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| 森崎（富士通研究所） | 小松（ソニー） |
| ・部分空乏型SOI MOSFETの電流駆動能力の向上?
ボディー端子制御型の容量性結合 |
・チャネル長0.1μm SOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察 |
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| 宝玉充（セイコーエプソン） | 川中（東芝） |
| ・アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響 | |
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| 篠（東芝） |