| 講演名 | 2012-07-26 S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般) 小坂 尚希, 内田 浩光, 能登 一二三, 山中 宏治, 中山 正敏, 平野 嘉仁, 井上 晃, 野上 洋一, 金谷 康, |
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| 抄録(和) | 高い出力電力特性を有するGaNトランジスタを安価なSi基板上に形成したGaN-on-SiトランジスタからなるS帯高出力増幅器の試作結果について報告する.100W級の出力電力が得られるようFETのゲート幅を選択するとともに,その入力側および出力側における高調波処理により動作効率の改善を図った結果,2.1GHz帯にて出力電力170W,ドレイン効率70%の良好な特性を得た.著者らの知る限り,今回得られた特性は過去の類似報告例と比べてほぼ最高水準にあるものといえる. |
| 抄録(英) | An S-band partially-matched GaN HEMT power amplifier (PA) is reported. It employs a GaN-on-Si FET to which much attention has been paid for its high output power characteristics and its low manufacturing cost. With a proper choice of gate width of the FET and harmonic termination at both the input and the output, output power of 170W and drain efficiency of 70% have been obtained at 2.1GHz. To the authors' knowledge, the efficiency at aforementioned output level and the frequency seems one of the highest among ever-reported ones. |
| キーワード(和) | GaN / シリコン / 増幅器 / 高調波処理 / S帯 |
| キーワード(英) | GaN / silicon / amplifier / harmonic termination / S-band |
| 資料番号 | MW2012-28,OPE2012-21,EST2012-10,MWP2012-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2012/7/19(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An S-Band 170W/70% Partially-Matched GaN HEMT Power Amplifier : Efficiency Increase by Harmonic Termination for GaN-on-Si Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 増幅器 / amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高調波処理 / harmonic termination |
| キーワード(5)（和/英） | S帯 / S-band |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小坂 尚希 / N. KOSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内田 浩光 / H. UCHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 能登 一二三 / H. NOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山中 宏治 / K. YAMANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 正敏 / M. NAKAYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平野 嘉仁 / Y. HIRANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / A. INOUE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 野上 洋一 / Y. NOGAMI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 金谷 康 / Y. KANAYA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2012-07-26 |
| 資料番号 | MW2012-28,OPE2012-21,EST2012-10,MWP2012-9 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | 156 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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