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| 講演名 | 2012-07-26 09:30 S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 ～ 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 ～ ○小坂尚希・内田浩光・能登一二三・山中宏治・中山正敏・平野嘉仁・井上 晃・野上洋一・金谷 康（三菱電機） |
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