| 講演名 | 2008-07-09 Properties of GaN MIS capacitors using Al_2O_3 as gate dielectric deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition(Session1: Compound Semiconductor Devices) , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Al_2O_3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) technique using Trimethylaluminum (TMA) precursor and oxygen radicals in the temperature range of 25～500℃. Growth rate per cycle was varied with substrate temperature from 1.8Å/cycle at 25℃ to 0.8Å/cycle at 500℃ Excellent electrical properties of GaN MIS capacitor were obtained at 300℃, in terms of low electrical leakage current density (～10^<-10>A/cm^2 at 1MV) at room temperature, high dielectric constant of 8.6 with the thinner oxide thickness of 12nm Interface trap density (D_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) / TMA / Aluminum oxide / GaN MIS capacitor / Interface trap density |
| 資料番号 | ED2008-42,SDM2008-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2008/7/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of GaN MIS capacitors using Al_2O_3 as gate dielectric deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition(Session1: Compound Semiconductor Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Remote Plasma Atomic Layer Deposition (RPALD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hyeong-Seon Yun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University |
| 発表年月日 | 2008-07-09 |
| 資料番号 | ED2008-42,SDM2008-61 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 121 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |