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講演名
2008-07-09 12:05
Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition
○
Hyeong-Seon Yun
・
Ka-Lam Kim
・
No-Won Kwak
・
Woo-Seok Lee
・
Sang-Hyun Jeong
(
Cheongju Univ.
)・
Ju-Ok Seo
(
Itswell
)・
Kwang-Ho Kim
(
Cheongju Univ.
)
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ED2008-42 SDM2008-61
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