| 講演名 | 2008-07-17 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) 薮内 誠, 新居 浩二, 塚本 康正, 大林 茂樹, 今岡 進, 山上 由展, 石倉 聡, 寺野 登志夫, 里見 勝治, 赤松 寛範, 篠原 尋史, |
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| 抄録(和) | 微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシスト回路と階層化ライトアシスト回路を開発した。45nmLSTPテクノロジでセルサイズ0.245μm^2と0.327μm^2の二種類についてこの技術を搭載したSRAM512Kbを試作し、SNMが120mV、Writeマージンが15%改善したことを確認した。 |
| 抄録(英) | We develop 512Kb SRAM module in 45nm LSTP CMOS technology with the variation tolerant assist circuits against process and temperature. We introduce a passive resistance to the read assist circuit, and adopt the divided VDD line in the memory cell array to the write assist circuit. The SRAM cell areas with 0.245μm2 and 0.327μm2 are fabricated. From the measurements, we show that, by using our circuitry, the SNM exceeds 120mV and the write margin is improved by 15% in the worst PVT condition. |
| キーワード(和) | SRAM / アシスト回路 / 45nm CMOS / ばらつき |
| キーワード(英) | SRAM / Assist circuit / 45nm CMOS / Variability |
| 資料番号 | SDM2008-131,ICD2008-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2008/7/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 45nm Low-Standby-Power Embedded SRAM with Improved Immunity Against Process and Temperature Variations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | アシスト回路 / Assist circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 45nm CMOS / 45nm CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | ばらつき / Variability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 薮内 誠 / Makoto YABUUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji NII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塚本 康正 / Yasumasa TSUKAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大林 茂樹 / Shigeki OHBAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 今岡 進 / Susumu IMAOKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサスデザイン Renesas Design Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 山上 由展 / Yoshinobu YAMAGAMI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石倉 聡 / Satoshi ISHIKURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 寺野 登志夫 / Toshio TERANO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 里見 勝治 / Katsuji SATOMI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 赤松 寛範 / Hironori AKAMATSU |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 松下電器産業 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 篠原 尋史 / Hirofumi SHINOHARA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2008-07-17 |
| 資料番号 | SDM2008-131,ICD2008-41 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | 140 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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