| 講演名 | 2007-10-04 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術) 村川 恵美, 竹内 政志, 本田 稔, 石塚 修一, 中西 敏雄, 廣田 良浩, 菅原 卓也, 田中 義嗣, 赤坂 泰志, 寺本 章伸, 須川 成利, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | プラズマ窒化によるSiONゲート絶縁膜形成において、高分解RBSによって校正されたAR-XPSを用いて絶縁膜中窒素濃度分布を高精度に計測し、窒素プロファイルとボロン拡散防止効果および素子特性との関係を調査した。この結果、RLSAプラズマ窒化が先端ロジックだけでなくDRAMにっいても有効なSiON絶縁膜形成技術であることを示した。また、窒化後アニール処理では、表面近傍における窒素原子の外拡散と表面酸化の両方が進行することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Nitrogen profile variations were systematically studied for the DRAM plasma nitridation process, using AR-XPS, and their influences to the boron blocking and device performances including NBTI were investigated. The high pressure and high temperature condition of plasma nitridation is preferred for improving the NBTI and the tool productivity. Post nitridation anneal stabilizes the nitrogen profile, and improves the boron blocking performance. Both of re-oxidation and the out-diffusion of nitrogen atoms take place simultaneously near the surface during the queue time after the plasma nitridation. RLSA plasma nitridation is a successful SiON gate insulator formation technology in the manufacturing of DRAM as well as logic devices. |
| キーワード(和) | DRAM / ゲート / 絶縁膜 / SiON / プラズマ / 窒化 / 窒素 / プロファイル / XPS / RLSA / NBTI / ボロン |
| キーワード(英) | DRAM / Gate / Insulator / SiON / Dielectrics / Plasma / Nitridation / Nitrogen / Profile / XPS / RLSA / NBTI / Boron |
| 資料番号 | SDM2007-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/9/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nitrogen Profile Study for SiON Gate Dielectrics of Advanced DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート / Gate |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁膜 / Insulator |
| キーワード(4)（和/英） | SiON / SiON |
| キーワード(5)（和/英） | プラズマ / Dielectrics |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化 / Plasma |
| キーワード(7)（和/英） | 窒素 / Nitridation |
| キーワード(8)（和/英） | プロファイル / Nitrogen |
| キーワード(9)（和/英） | XPS / Profile |
| キーワード(10)（和/英） | RLSA / XPS |
| キーワード(11)（和/英） | NBTI / RLSA |
| キーワード(12)（和/英） | ボロン / NBTI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村川 恵美 / Shigemi Murakawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社:東北大学工学研究科技術社会システム Tokyo Electron Ltd., TBS Broadcast Center:Management of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 政志 / Masashi Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部 Tokyo Electron AT Ltd., SPA Development and Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本田 稔 / Minoru Honda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部 Tokyo Electron AT Ltd., SPA Development and Engineering |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石塚 修一 / Shu-ichi Ishizuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部 Tokyo Electron AT Ltd., SPA Development and Engineering |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中西 敏雄 / Toshio Nakanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部 Tokyo Electron AT Ltd., SPA Development and Engineering |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 廣田 良浩 / Yoshihiro Hirota |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロンAT株式会社SPA開発部 Tokyo Electron AT Ltd., SPA Development and Engineering |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 菅原 卓也 / Takuya Sugawara |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Ltd., TBS Broadcast Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田中 義嗣 / Yoshitsugu Tanaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Ltd., TBS Broadcast Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 赤坂 泰志 / Yasushi Akasaka |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京エレクトロン株式会社 Tokyo Electron Ltd., TBS Broadcast Center |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 東北大学工学研究科技術社会システム Management of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2007-10-04 |
| 資料番号 | SDM2007-175 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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