| 講演名 | 2005-08-19 poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) 由上 二郎, 嶋本 泰洋, 井上 真雄, 水谷 斉治, 林 岳, 志賀 克哉, 藤田 文子, 土本 淳一, 大野 吉和, 米田 昌弘, |
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| 抄録(和) | SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術を用いて仕事関数制御がデバイス特性に及ぼす影響を検証するとともに本技術が低消費電力デバイスの特性向上をに有効であることを見出した。Hf系絶縁膜とpoly-Si電極の組み合わせでは、フェルミレベルピングによるVth増大が大きな課題であるが、そのメリットを享受する方向性を提案する。 |
| 抄録(英) | Gate work-function (WF) is controlled by incorporating sub-monolayer Hf at SiON/poly-Si interface. This technique provides us significant improvement of the performance in low power devices. This benefit is originated in the microscopic chemistry in Hf-based high-K near gate electrode, which is usually cold as "Fermi Level Pinning". Then, what is merit of "Fermi Level Pinning"? |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | work-function / low power CMOS / Hf / gate / Fermi-level pinning |
| 資料番号 | SDM2005-149,ICD2005-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2005/8/12(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate work-function modulation in SiON/poly-Si gate stacks, and its impact on low power devices : Advantage of sub-monolayer Hf at SiON/poly-Si interface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / work-function |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 由上 二郎 / Jiro YUGAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 嶋本 泰洋 / Yasuhiro SHIMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 真雄 / Masao INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 斉治 / Masaharu MIZUTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 林 岳 / Takashi HAYASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 志賀 克哉 / Katsuya Shiga |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 藤田 文子 / Fumiko FUJITA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 土本 淳一 / Jyunichi TSUCHIMOTO |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 大野 吉和 / Yoshikazu OHNO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 米田 昌弘 / Masahiro YONEDA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2005-08-19 |
| 資料番号 | SDM2005-149,ICD2005-88 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 235 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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