| 講演名 | 2018-11-30 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 古岡 啓太(名工大), 久保 俊晴(名工大), 三好 実人(名工大), 江川 孝志(名工大), |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾値電圧の変動等の原因となるため、GaN系パワーデバイス作製の課題となっている。我々は、絶縁膜形成後のアニール(PDA)および、ゲート金属蒸着後のアニール(PMA)を種々のアニール雰囲気で行い、ALD-Al2O3/AlGaN/ GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすアニール雰囲気の効果について評価を行った。またAl2O3/AlGaN界面におけるXPS分析による評価も行った。フォーミングガス(FG)雰囲気によるPMAで比較的低温の300,400℃で閾値シフトが1 V付近まで減少した。またXPS分析によって水素による窒素ダングリングボンドの終端を確認することができた。 |
| 抄録(英) | We conducted post-deposition annealing (PDA) and post-metalization annealing in various annealing atmosphere and evaluated the effect of annealing ambient on device characteristics of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMT. We also evaluated the Al2O3/AlGaN interface by XPS analysis. The ⊿Vth with FG-PMA decreased to 1 V at a relatively low temperature of 400℃. XPS analysis confirmed the termination of nitrogen dangling bonds by hydrogen atoms. |
| キーワード(和) | GaN / MIS / HEMT / PDA / PMA |
| キーワード(英) | GaN / MIS / HEMT / PDA / PMA |
| 資料番号 | ED2018-42,CPM2018-76,LQE2018-96 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / LQE / CPM |
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| 開催期間 | 2018/11/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Inst. tech. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝インフラシステムズ) / 浜本 貴一(九大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) / Kiichi Hamamoto(Kyusyu Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 須原 理彦(首都大) / 有賀 博(三菱電機) / 武山 真弓(北見工大) |
| 副委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshi Aruga(Mitsubishi Electric) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 東脇 正高(NICT) / 大石 敏之(佐賀大) / 八木 英樹(住友電工) / 川北 泰雅(古河電工) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 赤毛 勇一(NTTデバイスイノベーションセンタ) |
| 幹事氏名（英） | Masataka Higashiwaki(NICT) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Hideki Yagi(SEI) / Yasumasa Kawakita(Furukawa Electric Industries) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yuichi Akage(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 岩田 達哉(豊橋技科大) / 小谷 淳二(富士通研) / 永井 正也(阪大) / 木村 康男(東京工科大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tatsuya Iwata(TUT) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of annealing ambient on electrical properties of ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | PDA / PDA |
| キーワード(5)（和/英） | PMA / PMA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古岡 啓太 / Keita Furuoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2018-11-30 |
| 資料番号 | ED2018-42,CPM2018-76,LQE2018-96 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | ED-330,CPM-331,LQE-332 |
| ページ範囲 | pp.45-48(ED), pp.45-48(CPM), pp.45-48(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) |