| 講演名 | 2017-12-22 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 小澤 愼二(阪電通大), 竹下 明伸(阪電通大), 今村 辰哉(阪電通大), 高野 晃大(阪電通大), 奥田 和也(阪電通大), 日高 淳輝(阪電通大), 松浦 秀治(阪電通大), 紀 世陽(産総研), 江藤 数馬(産総研), 児島 一聡(産総研), 加藤 智久(産総研), 吉田 貞史(産総研), 奥村 元(産総研), |
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| 抄録(和) | オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H-SiCにおける伝導機構とAlドープ量及び温度との関係が明らかになっていない．そこで，異なる高濃度Alドープ4H-SiCの抵抗率をvan der Pauw法を用いて測定し，抵抗率の温度依存性から伝導機構とAlドープ量及び温度との関係を明らかにした． |
| 抄録(英) | To realize SiC n-channel insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with very low on-resistance, it is essential to reduce the resistance in thick p+-type SiC substrates that are collectors of n-channel IGBTs. However, it is not clear that the relationships between its conduction mechanisms and Al concentration or measurement temperature in heavily Al-doped 4H-SiC. Therefore, we measured the temperature-dependent resistivity in heavily-doped 4H-SiC with several Al concentrations by a van der Pauw method, and then elucidated the relationships. |
| キーワード(和) | SiC IGBT / p型4H-SiC / 高濃度Alドープ4H-SiC / 抵抗率の温度依存性 / 伝導機構 |
| キーワード(英) | SiC IGBT / p-type 4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC / Temperature-dependent resistivity / Conduction mechanism |
| 資料番号 | EID2017-12,SDM2017-73 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / EID |
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| 開催期間 | 2017/12/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | 京都大学 |
| 開催地（英） | Kyoto University |
| テーマ（和） | Si、Siを含む材料の作製、プロセス技術、デバイス、およびディスプレイ関連技術 |
| テーマ（英） | Si, Si-related materials, device process, electron devices, and display technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 小南 裕子(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Yuko Kominami(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) / 木村 睦(龍谷大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) / Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 伊達 宗和(NTT) / 山口 雅浩(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Munekazu Date(NTT) / Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) / 山口 留美子(秋田大) / 新田 博幸(ジャパンディスプレイ) / 中田 充(NHK) / 野中 亮助(東芝) / 奥野 武志(ファーウェイ) / 志賀 智一(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) / Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroyuki Nitta(Japan Display) / Mitsuru Nakata(NHK) / Ryosuke Nonaka(Toshiba) / Takeshi Okuno(Huawei) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Electronic Information Displays |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 |
| サブタイトル（和） | 抵抗率のドープ量及び温度依存性 |
| タイトル（英） | Conduction mechanisms in heavily Al-doped 4H-SiC epilayers |
| サブタイトル（和） | Dependencies of resistivity on Al concentration and temperature |
| キーワード(1)（和/英） | SiC IGBT / SiC IGBT |
| キーワード(2)（和/英） | p型4H-SiC / p-type 4H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 高濃度Alドープ4H-SiC / Heavily Al-doped 4H-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗率の温度依存性 / Temperature-dependent resistivity |
| キーワード(5)（和/英） | 伝導機構 / Conduction mechanism |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小澤 愼二 / Shinji Ozawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹下 明伸 / Akinobu Takeshita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 今村 辰哉 / TAtsuya imamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高野 晃大 / Kota Takano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥田 和也 / Kazuya Okuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 日高 淳輝 / Atsuki Hidaka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松浦 秀治 / Hideharu Matsuura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪電気通信大学(略称：阪電通大) Osaka Electro-Communication University(略称：OECU) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 紀 世陽 / Shiyang Ji |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 江藤 数馬 / Kazuma Eto |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 児島 一聡 / Kazuoshi Kojima |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 加藤 智久 / Tomohisa Kato |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 吉田 貞史 / Sadafumi Yoshida |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 13 著者 氏名（和/英） | 奥村 元 / Hajime Okumura |
| 第 13 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2017-12-22 |
| 資料番号 | EID2017-12,SDM2017-73 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | EID-372,SDM-373 |
| ページ範囲 | pp.5-8(EID), pp.5-8(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2017-12-15 (EID, SDM) |