| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム ダウンロードリンク |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| PDFダウンロードリンク | ||
| 講演名 | 2017-12-22 10:45 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ～ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ～ ○小澤愼二・竹下明伸・今村辰哉・高野晃大・奥田和也・日高淳輝・松浦秀治（阪電通大）・紀 世陽・江藤数馬・児島一聡・加藤智久・吉田貞史・奥村 元（産総研） |
|
| PDFダウンロードリンク |  EID2017-12 SDM2017-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2017-12 SDM2017-73 |
|
| 著作権について | 技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]