| 講演名 | 2020-12-25 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部の過渡的温度変化過程の測定 裏崎 裕也(広島大), 花房 宏明(広島大), 東 清一郎(広島大), |
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| 抄録(和) | 独自に開発した光学干渉非接触温度測定(Optical-Interference Contactless Thermometer: OICT)は, 光の干渉を利用した温度測定方法であり, 応答速度が速く, ウェハ内部の温度変化が分かり, ウェハの裏面からウェハ表面の温度が分かるという特徴がある. この利点によりプラズマプロセス中のウェハ表面の温度を高精度に測定することやMOSトランジスタを模擬し, デバイス内部の温度変化の可視化を試みてきた. このような特徴を持つOICTをほかの分野に応用させること, OICTを用いた温度測定の可能性を調べるために本研究では, Siの熱光学係数(Thermal-Optical Coefficient: TOC)の改善に取り組んだ. その結果, 正確性の高いTOC測定の結果が得られた. また, Siの温度依存による吸収係数についても考察した. 次に, Siウェハ上に成膜したNiに連続パルス電流を流し, 急峻な温度変化を加え, ジュール熱により温度変化を与えた状態で測定し, 加熱と放熱が高い時間分解能で測定可能であることを示した. |
| 抄録(英) | Optical-Interference Contactless Thermometer(OICT), which was originally developed by our laboratory, is a temperature measurement method that uses light interference. It has feature of a fast response, that temperature change inside the wafer can be seen, and that temperature of the wafer of surface can be measured from the backside of the wafer. Due to this advantage, we have tried to measure the temperature of the wafer of surface during the plasma process with high accuracy and to imitate the MOS transistor to visualize the temperature change inside the device. In order to apply OICT with such characteristics to other fields and to investigate the possibility of temperature measurement, in this study, we worked on improving the Thermal-Optical Coefficient(TOC) of Si. As a result, high accurate TOC measurement results were obtained. The absorption coefficient of Si as a function of temperature was also considered. Next, a continuous pulse current was applied to the Ni film formed on the Si wafer, and a steep temperature change was applied. It was measured with the temperature changed by Joule heat, and it was shown that heating and heat dissipation can be measured with high time resolution. |
| キーワード(和) | OICT / TOC / 温度測定 / 高温環境 |
| キーワード(英) | OICT / TOC / Temperature measurement / High temperature |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2020/12/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | バイオテクノロジー、表面界面、計測技術、エレクトロニクス、その他 |
| テーマ（英） | bio-technology, surface and interfacial phenomena, measurement and observation, electronics, and other researches relating these |
| 委員長氏名（和） | 真島 豊(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 山田 俊樹(NICT) |
| 副委員長氏名（英） | Toshiki Yamada(NICT) |
| 幹事氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 嘉治 寿彦(東京農工大) / 清家 善之(愛知工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光学干渉非接触温度測定(OICT)を用いたシリコンウェハ内部の過渡的温度変化過程の測定 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Measurement of Transient Temperature Change Process inside Silicon Wafer using Optical-Interference Contactless Thermometer(OICT) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | OICT / OICT |
| キーワード(2)（和/英） | TOC / TOC |
| キーワード(3)（和/英） | 温度測定 / Temperature measurement |
| キーワード(4)（和/英） | 高温環境 / High temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 裏崎 裕也 / Yuya Urasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 花房 宏明 / Hiroaki Hanafusa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ) |
| 発表年月日 | 2020-12-25 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | OME-307 |
| ページ範囲 | pp.-(), |
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