| 講演名 | 2020-11-26 Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ロー ルイ シャン(福井大), 永瀬 樹(福井大), バラトフ アリ(福井大), アスバル ジョエル タクラ(福井大), 徳田 博邦(福井大), 葛原 正明(関西学院大), 谷田部 然治(熊本大), 内藤 健太(熊本大), 本山 智洋(熊本大), 中村 有水(熊本大), |
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| 抄録(和) | 近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成例が報告されている。本研究ではmist-CVD 法により堆積したAl2O3をゲート絶縁膜に採用した AlGaN/GaN MIS-HEMTを作製した。Mist?Al2O3 MIS-HEMTはフォワードゲートリーク電流を抑制することができ、SG-HEMTより高い最大ドレイン電流が得られた。さらにmist-Al2O3 MIS キャパシタを試作し、絶縁膜/AlGaN界面特性の評価を行った。ヒステリシスのない伝達特性と容量?電圧特性が得られ、mist-Al2O3/AlGaN界面は良好な特性を有していることが示唆された。 |
| 抄録(英) | We have fabricated AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors (MIS-HEMTs) using Al2O3 gate dielectric deposited by mist chemical vapor deposition (mist-CVD) technique. The mist-Al2O3 MISHEMTs exhibited highly improved performance compared with the Schottky-gate devices. We obtained practically hysteresis-free transfer curves and capacitance-voltage profiles from the fabricated mist-Al2O3 MIS-HEMTs suggesting high interfacial quality of the mist-Al2O3/AlGaN structure. |
| キーワード(和) | ミスト CVD / AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / Al2O3絶縁膜 |
| キーワード(英) | Mist-CVD / AlGaN/GaN HEMT / Al2O3 insulator |
| 資料番号 | ED2020-13,CPM2020-34,LQE2020-64 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al2O3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミスト CVD / Mist-CVD |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | Al2O3絶縁膜 / Al2O3 insulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ロー ルイ シャン / Low Rui Shan |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永瀬 樹 / Itsuki Nagase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | バラトフ アリ / Ali Baratov |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | アスバル ジョエル タクラ / Joel Tacla Asubar |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 関西学院大学(略称：関西学院大) Kwansei Gakuin University(略称：Kwansei Gakuin Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 熊本大学(略称：熊本大) Kumamoto University(略称：Kumamoto Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 内藤 健太 / Kenta Naito |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 熊本大学(略称：熊本大) Kumamoto University(略称：Kumamoto Univ.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 本山 智洋 / Motoyama Tomohiro |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 熊本大学(略称：熊本大) Kumamoto University(略称：Kumamoto Univ.) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 中村 有水 / Yusui Nakamura |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 熊本大学(略称：熊本大) Kumamoto University(略称：Kumamoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-13,CPM2020-34,LQE2020-64 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.49-52(ED), pp.49-52(CPM), pp.49-52(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |