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講演名
2020-11-26 15:50
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
○
ロー ルイ シャン
・
永瀬 樹
・
バラトフ アリ
・
アスバル ジョエル タクラ
・
徳田博邦
(
福井大
)・
葛原正明
(
関西学院大
)・
谷田部然治
・
内藤健太
・
本山智洋
・
中村有水
(
熊本大
)
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ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64
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