情報・システム-画像工学(開催日:2017/10/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術

木下 哲郎(TOK),  真下 峻一(TOK),  大橋 卓矢(TOK),  澤田 佳宏(TOK),  木下 洋平(TOK),  藤村 悟史(TOK),  

[発表日]2017-10-25
[資料番号]SDM2017-53
[招待講演]HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討

前田 康貴(東工大),  劉 野原(東工大),  廣木 瑞葉(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2017-10-25
[資料番号]SDM2017-54
[招待講演]段差ゼロの平坦化技術: CMP前のPMD体積調整

掛川 智康(サンディスク),  二瀬 卓也(サンディスク),  

[発表日]2017-10-25
[資料番号]SDM2017-50
化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用

工藤 聡也(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2017-10-25
[資料番号]SDM2017-52
局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減

朴 賢雨(東北大),  黒田 理人(東北大),  後藤 哲也(東北大),  諏訪 智之(東北大),  寺本 章伸(東北大),  木本 大幾(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2017-10-25
[資料番号]SDM2017-51
スクライブ上モニタパタンのシート抵抗測定によるイメージセンサの空乏化電位管理について

後藤 洋太郎(ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング),  山口 直(ルネサス エレクトロニクス),  松浦 正純(ルネサス エレクトロニクス),  飯塚 康治(ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-59
[依頼講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術

下井 貴裕(ルネサス エレクトロニクス),  斉藤 朋也(ルネサス エレクトロニクス),  長瀬 寛和(ルネサス エレクトロニクス),  伊豆名 雅之(ルネサス エレクトロニクス),  神田 明彦(ルネサス エレクトロニクス),  伊藤 孝(ルネサス エレクトロニクス),  河野 隆司(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-58
ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果

女屋 崇(明大/物質・材料研究機構),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構/JST),  澤本 直美(明大),  大井 暁彦(物質・材料研究機構),  池田 直樹(物質・材料研究機構),  知京 豊裕(物質・材料研究機構),  小椋 厚志(明大),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-57
紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計

石井 秀和(東北大),  永瀬 正明(フジキン),  池田 信一(フジキン),  志波 良信(東北大),  白井 泰雪(東北大),  黒田 理人(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-56
高精度アレイテスト回路計測技術を用いたソースフォロアトランジスタの動作条件変化によるランダムテレグラフノイズの挙動解析

市野 真也(東北大),  間脇 武蔵(東北大),  寺本 章伸(東北大),  黒田 理人(東北大),  若嶋 駿一(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-60
[招待講演]ビックデータの活用によるメモリ製造革新

赤堀 浩史(東芝メモリ),  中田 康太(東芝),  折原 良平(東芝),  水岡 良彰(東芝),  高木 健太郎(東芝),  門多 健一(東芝メモリ),  西村 孝治(東芝メモリ),  田中 祐加子(東芝メモリ),  江口 英孝(東芝メモリ),  

[発表日]2017-10-26
[資料番号]SDM2017-55