| 講演名 | 2017-10-25 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 工藤 聡也(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | 従来の浮遊ゲート型に代わる不揮発性メモリとして、MONOS型不揮発性メモリが注目されている。MONOS型不揮発性メモリの低電圧動作化において、トンネル層/Si基板界面の平坦性が重要となっている。これまで本研究では、電気炉を用いたAr/H2熱処理によるSi(100)表面の原子レベル平坦化プロセスの検討を行い、Si表面の原子ステップの形成を実現したが、数um周期のラフネスがみられるという課題があった。本報告では、H2O2により化学酸化膜(0.7 nm)をSi(100)表面に形成後にAr/4%H2混合ガス雰囲気中で熱処理することで、原子ステップと同時に形成される数um周期の表面ラフネスを抑制できることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | MONOS type nonvolatile memory is a promising candidate to replace the floating gate type nonvolatile memory (NVM). It was found that interface roughness at the tunneling layer/Si substrate significantly affects the low voltage operation of MONOS NVM. In our previous reports, the atomic steps were realized by annealing in Ar/H2 ambient, while the surface roughness with a few um periodic was also formed. In this report, we have investigated the effect of the chemical oxide (0.7 nm) formed on p-Si(100) by immersing in H2O2 for the flattening process in Ar/4%H2 ambient. It was revealed that the periodic surface roughness formation was suppressed by chemical oxide passivation process. |
| キーワード(和) | Si / 原子レベル平坦化プロセス / Ar/H2 / Hf / MONOS型不揮発性メモリ |
| キーワード(英) | Si / atomically flattening process / Ar/H2 / Hf / MONOS type nonvolatile memory |
| 資料番号 | SDM2017-52 |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2017/10/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 副委員長氏名（和） | 品田 高宏(東北大) |
| 副委員長氏名（英） | Takahiro Shinada(Tohoku Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 幹事補佐氏名（和） | 池田 浩也(静岡大) / 諸岡 哲(東芝メモリ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroya Ikeda(Shizuoka Univ.) / Tetsu Morooka(TOSHIBA MEMORY) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 化学酸化膜を用いたAr/H2熱処理によるSi表面原子レベル平坦化とHf系MONOS構造への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si surface atomically flattening process with chemical oxide passivation for Ar/H2 annealing and Hf-based MONOS device application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 原子レベル平坦化プロセス / atomically flattening process |
| キーワード(3)（和/英） | Ar/H2 / Ar/H2 |
| キーワード(4)（和/英） | Hf / Hf |
| キーワード(5)（和/英） | MONOS型不揮発性メモリ / MONOS type nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 聡也 / Sohya Kudoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech.) |
| 発表年月日 | 2017-10-25 |
| 資料番号 | SDM2017-52 |
| 巻番号（vol） | vol.117 |
| 号番号（no） | SDM-260 |
| ページ範囲 | pp.15-19(SDM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2017-10-18 (SDM) |