エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2019/10/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)

熊倉 翔(東京エレクトロン宮城),  木原 嘉英(東京エレクトロン宮城),  本田 昌伸(東京エレクトロン宮城),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-53
Investigation of ferroelectric undoped HfO2 formation on Si(100) utilizing post metallization annealing for nonvolatile memory application

Min Gee Kim(東工大),  片岡 正和(東工大),  林 将生(東工大),  Rengie Mark D. Mailig(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-56
A study on the EOT scaling of the Hf-based MONOS non-volatile memory characteristics utilizing HfON tunneling layer

Jooyoung Pyo(東工大),  堀内 諭介(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-57
多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討

堀内 勇介(東工大),  表 柱栄(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-58
Hf界面層を用いた強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成

片岡 正和(東工大),  林 将生(東工大),  キム ミンギ(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-54
The investigation of interface property of N-doped LaB6/SiO2/Si(100) stack structure by increasing deposition temperature

朴 鏡恩(東工大),  釜田 英暉(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2019-10-23
[資料番号]SDM2019-55
[Invited Talk] NiAl as Cu alternative for ultrasmall feature sizes

陳 凌寒(東北大),  小池 淳一(東北大),  安藤 大輔(東北大),  須藤 祐司(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-59
超高感度トンネル磁気抵抗センサの開発

大兼 幹彦(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-64
新しい圧電材料BiFeO3の薄膜形成技術と基板依存性

今泉 文伸(小山高専),  仲田 陸人(小山高専),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-63
次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム

前田 健(東北大),  大村 裕弥(東北大),  黒田 理人(東北大),  寺本 章伸(東北大),  諏訪 智之(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-65
高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察

山崎 森太郎(東北大),  後藤 哲也(東北大),  鈴木 学(東北大),  黒田 理人(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-67
[招待講演]ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術

葛西 誠也(北大),  呂 任鵬(北大),  清水 克真(北大),  殷 翔(北大),  上羽 陽介(大日本印刷),  石川 幹雄(大日本印刷),  北村 満(大日本印刷),  法元 盛久(産総研),  成瀬 誠(東大),  松本 勉(横浜国大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-62
[依頼講演]Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響

城戸 光一(東北大),  佐藤 謙(東北大),  黒田 理人(東北大),  安藤 大輔(東北大),  須藤 祐司(東北大),  小池 淳一(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-60
高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測

髙橋 圭吾(東北大),  Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva(東北大),  黒田 理人(東北大),  藤原 康行(東北大),  村田 真麻(東北大),  石井 秀和(東北大),  森本 達郎(東北大),  諏訪 智之(東北大),  寺本 章伸(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-66
Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications

Rengie Mark D. Mailig(東工大),  Yuichiro Aruga(東工大),  Min Gee Kim(東工大),  Shun-ichiro Ohmi(東工大),  

[発表日]2019-10-24
[資料番号]SDM2019-61