エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2012/01/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]
超低消費電力LSI向けのSiN電荷捕獲層を有する新型V_自己調整MISFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

辰村 光介,  川澄 篤,  川中 繁,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-149
超低電圧動作を可能にするチャネルエンジニアリング(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

藤田 和司,  鳥居 泰伸,  堀 充明,  王 純志,  /,  中川 雅樹,  岡部 堅一,  三宅 利紀,  大越 克明,  蔵前 正樹,  森 年史,  鶴田 智也,  / 江間 泰示,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-150
100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

水谷 朋子,  / 平本 俊郎,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-151
トライゲートナノワイヤMOSFETにおける自己発熱効果の系統的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

太田 健介,  齋藤 真澄,  田中 千加,  中林 幸雄,  沼田 敏典,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-152
引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_<1-x>As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

金 相賢,  横山 正史,  田岡 紀之,  中根 了昌,  安田 哲二,  山田 永,  福原 昇,  秦 雅彦,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-153
原子スイッチの現状と将来 : 新しいエレクトロニクスの創成を目指して(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

青野 正和,  長谷川 剛,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-154
物理モデルに基づく高信頼性ReRAMの開発(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

魏 志強,  高木 剛,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-155
光学モバイル用途に優れたSOQ(シリコン・オン・クォーツ)デバイス(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

永田 敏雄,  金丸 浩,  池上 正美,  長友 良樹,  半田 正人,  中村 里克,  内堀 邦彦,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-156
High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

濱口 雅史,  /,  西村 尚志,  /,  /,  /,  /,  /,  森 貞之,  高須 靖夫,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  / 宮下 桂,  /,  /,  /,  /,  /,  /,  松岡 史倫,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-157
低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

更田 裕司,  安福 正,  高宮 真,  野村 昌弘,  篠原 尋史,  桜井 貴康,  

[発表日]2012/1/20
[資料番号]SDM2011-158
複写される方へ

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]
奥付

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2012/1/20
[資料番号]