| 講演名 | 2012/1/20 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) 水谷 朋子, / 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | しきい値電圧(V_ | )ばらつき測定用の超大規模DMA-TEGを設計・試作し,65nm技術で作製した100億個のトランジスタにおけるV_ | ばらつきを評価した.その結果,nFETのV_ | ばらつきは±6.5σまでほぼ正規分布に従うことが分かった.一方,pFETのV_ | ばらつきは,分布の低V_ | 領域でテール部分が見られることを明らかにした.3Dデバイスシミュレーションと詳細なトランジスタ特性の実測により,非正規分布の原因を解析した. |
| 抄録(英) | Threshold voltage (V_ | ) variability of 10G (10 billion) transistors is measured using a special device-matrix-array test-element-group (DMA TEG) exclusively for ultra-fast V_ | measurements. It is found that V_ | variability in nFETs almost follows the normal distribution up to ±6σ, while pFETs have a clear "tail" in low V_ | region. The origin of the non-normal distribution is analyzed by measuring transistors fabricated in two different fabs and by 3D device simulation. | |
| キーワード(和) | MOSFET / しきい値電圧 / ばらつき | |||||
| キーワード(英) | MOSFET / Threshold Voltage / Variability | |||||
| 資料番号 | SDM2011-151 | |||||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2012/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Threshold Voltage Variability of 10 Billion Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | しきい値電圧 / Threshold Voltage |
| キーワード(3)（和/英） | ばらつき / Variability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水谷 朋子 / Tomoko MIZUTANI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 平本 俊郎 / Anil KUMAR |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2012/1/20 |
| 資料番号 | SDM2011-151 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | 422 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |