エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/06/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]
UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  古川 寛章,  中川 博,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-70
NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

樋口 正顕,  小村 政則,  寺本 章伸,  品川 誠治,  池永 英司,  小林 啓介,  野平 博司,  須川 成利,  服部 健雄,  大見 忠弘,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-71
パルス時間変調窒素プラズマによるゲート絶縁膜の形成と紫外光照射損傷の抑制(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

福田 誠一,  田口 智啓,  加藤 裕司,  石川 寧,  野田 周一,  寒川 誠二,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-72
ダイナミック酸化膜電界ストレス下でのチャージポンピング電流に起因する界面トラップ形成(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

,  中島 安理,  大橋 拓夫,  三宅 秀治,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-73
15nm以上の膜厚を有するシリコン酸化膜の絶縁破壊統計性(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

三原 理,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-74
Nb_2O_5添加及び積層による高誘電率Ta_2O_5膜の低温結晶化(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

松井 裕一,  平谷 正彦,  浅野 勇,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-75
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa_2O_3-Al_2O_3複合膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

世古 明義,  佐合 寿文,  藤塚 良太,  坂下 満男,  酒井 朗,  小川 正毅,  財満 鎭明,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-76
窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

安部 浩透,  中川 博,  多比良 昌弘,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-77
制限反応スパッタ法によるZrO_2 High-k絶縁膜作製における堆積遅れ時間(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

小原 一顕,  杉山 英孝,  佐々木 公洋,  米澤 保人,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-78
Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

金島 岳,  多田 泰三,  津森 正樹,  奥山 雅則,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-79
低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

中川 博,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-80
High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties

,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-81
HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

長友 浩二,  高柳 万里子,  渡辺 健,  飯島 良介,  石丸 一成,  石内 秀美,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-82
Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

白石 賢二,  鳥居 和功,  宮崎 誠一,  山部 紀久夫,  知京 豊裕,  山田 啓作,  北島 洋,  有門 経敏,  奈良 安雄,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-83
HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

山口 豪,  平野 泉,  飯島 良介,  関根 克行,  高柳 万里子,  江口 和弘,  三谷 祐一郎,  福島 伸,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-84
Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

安田 直樹,  生田目 俊秀,  佐竹 秀喜,  鳥海 明,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-85
Pd_2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

法澤 公成,  佐野 孝輔,  細井 卓治,  芝原 健太郎,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]SDM2005-86
複写される方へ

,  

[発表日]2005/6/3
[資料番号]
12>> 1-20hit(22hit)