| 講演名 | 2005/6/3 High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | High pressure water vapor annealing has been found to improve electrical properties of high-κ gate oxides. The short time vapor anneal was effective to improve the electrical properties, such as decreasing leakage current density or increasing capacitance density. We could confirm that the conduction mechanism changed from P-F to F-N type tunneling by the treatment. Increase of interfacial layer was not observed. This improvement is related to the active species, such as oxygen in the water vapor which can react with the unsaturated bonds in the bulk oxide film and dangling bonds at film interface state. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | High-k gate dielectrics / high pressure H_2O vapor annealing / hydrogen profiles |
| 資料番号 | SDM2005-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High pressure water vapor annealing for improving HfSiO dielectrics properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / High-k gate dielectrics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Prakaipetch Punchaipetch |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/3 |
| 資料番号 | SDM2005-81 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |