エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/01/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/1/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/1/9
[資料番号]
最近のIEDM CMOSセッションにおける地域別研究動向(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

久本 大,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-196
Wide-range V_
動作に適した65nm CMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

中原 寧,  深井 利憲,  東郷 光洋,  小山 晋,  保国 裕美,  松田 友子,  坂本 圭司,  藤原 秀二,  国宗 依信,  永瀬 正俊,  田村 貴央,  小野田 中,  三宅 慎一,  山夕 貴子,  工藤 智彦,  池田 昌弘,  山縣 保司,  山本 豊二,  今井 清隆,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-197
65nmノード用高性能25nm CMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

後藤 賢一,  田川 幸雄,  大田 裕之,  森岡 博,  ピディン S.,  籾山 陽一,  小倉 輝,  稲垣 聡,  田村 直義,  堀 充明,  森 年史,  加勢 正隆,  橋本 浩一,  児島 学,  杉井 寿博,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-198
低消費電力用途を目的とした極浅接合を有する65nmノードCMOSプロセス(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

大塚 文雄,  小崎 浩司,  佐々木 隆興,  泉 直希,  中川 義和,  峰地 輝,  安平 光雄,  有門 経敏,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-199
ひずみSOI MOSFETのチャネル構造設計と作製技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

高木 信一,  水野 智久,  手塚 勉,  杉山 直治,  沼田 敏典,  臼田 宏治,  中払 周,  守山 佳彦,  古賀 淳二,  田邊 顕人,  平下 紀夫,  前田 辰郎,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-200
歪みSi CMOSFETのスケーラビリティと40nmゲート長の高性能な歪みSi CMOSFET技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

佐貫 朋也,  大石 周,  森政 幸夫,  青田 正司,  木下 朋子,  蓮見 良治,  竹川 陽一,  磯部 和亜樹,  吉村 尚郎,  岩井 正明,  須之内 一正,  野口 達夫,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-201
Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

岩本 敏幸,  小倉 卓,  寺井 真之,  渡辺 啓仁,  渡部 平司,  五十嵐 信行,  宮村 真,  辰巳 徹,  西藤 哲史,  森岡 あゆ香,  渡部 宏治,  斎藤 幸重,  矢部 裕子,  五十嵐 多恵子,  増崎 幸治,  望月 康則,  最上 徹,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-202
プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

関根 克行,  犬宮 誠治,  佐藤 基之,  金子 明生,  江口 和弘,  綱島 祥隆,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-203
ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

一法師 隆志,  平野 有一,  新居 浩二,  塚本 康正,  前川 繁登,  犬石 昌秀,  大路 譲,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-204
Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

寺本 章伸,  濱田 龍文,  赤堀 浩史,  二井 啓一,  小谷 光司,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-205
高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

斎藤 慎一,  久本 大,  木村 紳一郎,  平谷 正彦,  

[発表日]2004/1/9
[資料番号]SDM2003-206
複写される方へ

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[発表日]2004/1/9
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/1/9
[資料番号]