講演名 2004/1/9
Wide-range V_
動作に適した65nm CMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
中原 寧, 深井 利憲, 東郷 光洋, 小山 晋, 保国 裕美, 松田 友子, 坂本 圭司, 藤原 秀二, 国宗 依信, 永瀬 正俊, 田村 貴央, 小野田 中, 三宅 慎一, 山夕 貴子, 工藤 智彦, 池田 昌弘, 山縣 保司, 山本 豊二, 今井 清隆,
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抄録(和) 広範囲なV_
動作に適した65-nm世代の高信頼性プラットフォームCMOS技術を開発した。高V_
時での高いデバイス信頼性と低V_
時での高駆動力を同時に得るため、膜厚及び窒素濃度が最適化されたゲート酸窒化膜、ヒ素及びリン注入によるdeep-SD形成、Niシリサイド、SiN膜応力制御、ゲートオフセットスペーサの導入を行った。その結果、Lg 43nmにおいて0.8V動作時にIdsat (n/p): 590/240(uA/um)、1.2V動作時に1150/550(uA/um)を得た。
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SDM2003-197
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2004/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Wide-range V_
動作に適した65nm CMOS技術(<特集>IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
サブタイトル(和)
タイトル(英)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 中原 寧
第 1 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 2 著者 氏名(和/英) 深井 利憲
第 2 著者 所属(和/英) NEC、シリコンシステム研究所
第 3 著者 氏名(和/英) 東郷 光洋
第 3 著者 所属(和/英) NEC、シリコンシステム研究所
第 4 著者 氏名(和/英) 小山 晋
第 4 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 5 著者 氏名(和/英) 保国 裕美
第 5 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 6 著者 氏名(和/英) 松田 友子
第 6 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 7 著者 氏名(和/英) 坂本 圭司
第 7 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 8 著者 氏名(和/英) 藤原 秀二
第 8 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 9 著者 氏名(和/英) 国宗 依信
第 9 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 10 著者 氏名(和/英) 永瀬 正俊
第 10 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 11 著者 氏名(和/英) 田村 貴央
第 11 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 12 著者 氏名(和/英) 小野田 中
第 12 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 13 著者 氏名(和/英) 三宅 慎一
第 13 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 14 著者 氏名(和/英) 山夕 貴子
第 14 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 15 著者 氏名(和/英) 工藤 智彦
第 15 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 16 著者 氏名(和/英) 池田 昌弘
第 16 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 17 著者 氏名(和/英) 山縣 保司
第 17 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
第 18 著者 氏名(和/英) 山本 豊二
第 18 著者 所属(和/英) NEC、シリコンシステム研究所
第 19 著者 氏名(和/英) 今井 清隆
第 19 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
発表年月日 2004/1/9
資料番号 SDM2003-197
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 556
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日