エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2003/06/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/20
[資料番号]
SiO_2中のB、P、As、Sbの拡散の雰囲気依存(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

青山 敬幸,  鈴木 邦広,  田代 浩子,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-62
SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

大谷 実,  白石 賢二,  押山 淳,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-63
[特別講演]高輝度放射光を利用した光電子分光法による半導体の電子構造評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

高田 恭孝,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-64
高分解能RBS/channelingを用いたSiO_2/Si(001)の界面分析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

中嶋 薫,  羽野 仁彦,  鈴木 基史,  木村 健二,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-65
極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

野平 博司,  白石 貴義,  高橋 健介,  柏木 郁未,  大島 千鶴,  大見 俊一郎,  岩井 洋,  城森 慎司,  中嶋 薫,  鈴木 基史,  木村 健二,  服部 健雄,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-66
高分解能角度分解光電子分光によるシリコン酸窒化膜および高誘電率膜・シリコン界面の解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

尾嶋 正治,  豊田 智史,  奥村 務,  岡林 潤,  組頭 広志,  小野 寛太,  平下 紀夫,  丹羽 正昭,  臼田 宏治,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-67
位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

矢代 航,  三木 一司,  隅谷 和嗣,  依田 芳卓,  高橋 敏男,  高橋 健介,  服部 健雄,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-68
ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

山崎 聡,  二子 渉,  水落 憲和,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-69
Y_2O_3およびYAlO_x膜の熱処理依存性評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

泉 由貴子,  山元 隆志,  橋本 秀樹,  小林 一三,  大沢 正典,  杉田 義博,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-70
HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

上原 康,  河瀬 和雅,  土本 淳一,  芝野 照夫,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-71
反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

上牟田 雄一,  鈴木 正道,  井野 恒洋,  小池 正浩,  西山 彰,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-72
LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

生田目 俊秀,  岩本 邦彦,  富永 浩二,  安田 哲二,  太田 裕之,  久松 裕和,  安田 直樹,  水林 亘,  堀川 剛,  鳥海 明,  

[発表日]2003/6/20
[資料番号]SDM2003-73
奥付

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[発表日]2003/6/20
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/6/20
[資料番号]