| 講演名 | 2003/6/20 HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術) 上原 康, 河瀬 和雅, 土本 淳一, 芝野 照夫, |
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| 抄録(和) | 次世代ゲート絶縁膜として有望なHfSiO_x膜において,実デバイスで想定される膜厚のHf(Si)O_x薄膜に関し,SPring-8を用いたXAFS法によりSi添加に伴うHf原子周りの局所構造変化を調べた。転換電子収量法の適用により,数nmの薄膜でも約1時間で測定ができることがわかった。XAFSスペクトルの解析から,Hf原子周りの第1配位殼(酸素)のピーク強度は,HfO_2粉末と薄膜試料で大きい違いが認められなかったのに対し,第2配位殼のピーク強度は薄膜試料で弱くなり,Hf_<0.5>Si_<0.5>O_x薄膜では同ピークが全く消失した。これらの結果から,薄膜では非晶質化が進むこと,Si添加試料では完全な非晶質であることが分かった。 |
| 抄録(英) | XAFS study was applied to investigate the local structure around hafnium atoms in Hf(Si)O_x thin films. The electron conversion method has revealed to be effective for the measurements of less than 10 nm thick films. We have found that the amount of the first nearest neighbors around Hf atoms are almost the same among HfO_2 powder and thin films, while the signal from the second nearest neighbor atoms of Hf becomes weak for the HfO_x thin films, and it disappears when silicon atoms are added to the film, which implies that the Si added film has neither HfO_2 cluster nor HfSiO_4 cluster. |
| キーワード(和) | high-kゲート / ゲート絶縁膜 / HfO_2 / HfSiO_x / 非晶質 / XAFS / SPring-8 / 配位数 |
| キーワード(英) | High-k gate dielectrics / gate dielectrics / HfO_2 / HfSiO_x / amorphous / XAFS / SPring-8 / coordination number |
| 資料番号 | SDM2003-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2003/6/20(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HfSiO_x薄膜のXAFSによる局所構造解析(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | XAFS Study of HfSiO_x thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | high-kゲート / High-k gate dielectrics |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate dielectrics |
| キーワード(3)（和/英） | HfO_2 / HfO_2 |
| キーワード(4)（和/英） | HfSiO_x / HfSiO_x |
| キーワード(5)（和/英） | 非晶質 / amorphous |
| キーワード(6)（和/英） | XAFS / XAFS |
| キーワード(7)（和/英） | SPring-8 / SPring-8 |
| キーワード(8)（和/英） | 配位数 / coordination number |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上原 康 / Yasushi UEHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河瀬 和雅 / Kazumasa KAWASE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土本 淳一 / Junichi TSUCHIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ(株)プロセス開発部 Process Development Division, Renascence Technology Co. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 芝野 照夫 / Teruo SHIBANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Co. |
| 発表年月日 | 2003/6/20 |
| 資料番号 | SDM2003-71 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 149 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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