エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/01/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/1/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/1/15
[資料番号]
極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS

稲葉 聡,  岡野 王俊,  松田 聡,  藤原 実,  外園 明,  安達 甘奈,  大内 和也,  須藤 裕之,  福井 大伸,  清水 敬,  森 伸二,  小熊 英樹,  村越 篤,  井谷 孝治,  飯沼 俊彦,  工藤 知靖,  柴田 英紀,  谷口 修一,  / 馬越 俊幸,  渡辺 由美,  高柳 万里子,  東 篤志,  親松 尚人,  須黒 恭一,  勝又 康弘,  豊島 義明,  石内 秀美,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-213
100nm世代SOC対応CMOSプロセス

小野 篤樹,  深作 克彦,  平井 友洋,  小山 晋,  真壁 真理子,  松田 友子,  国宗 依信,  瀧本 道也,  池澤 延幸,  山田 泰久,  小場 文夫,  今井 清隆,  中村 典生,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-214
高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS

西出 征男,  佐山 弘和,  太田 一伸,  尾田 秀一,  片山 実紀,  井上 靖朗,  森本 博明,  犬石 昌秀,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-215
100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術

大西 和博,  土屋 龍太,  山内 豪,  大塚 文雄,  満田 勝弘,  長谷 昌俊,  中村 徹,  川原 尊之,  尾内 享裕,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-216
デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術

松本 拓治,  前田 茂伸,  太田 和伸,  平野 有一,  永久 克巳,  佐山 弘和,  岩松 俊明,  山本 和也,  加藤 隆幸,  山口 泰男,  一法師 隆志,  尾田 秀一,  前川 繁登,  井上 靖朗,  犬石 昌秀,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-217
人工指紋デバイス : ロジックLSI互換プロセスで作成した多結晶シリコンTFTによるセキュリティーの作りこみ

前田 茂伸,  栗山 祐忠,  一法師 隆志,  前川 繁登,  犬石 昌秀,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-218
A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cellを用いた新しい高密度フラッシュメモリ

木下 和司,  遠藤 哲郎,  谷上 拓司,  和田 昌久,  佐藤 功太,  山田 和也,  横山 敬,  竹内 昇,  田中 研一,  粟屋 信義,  崎山 恵三,  舛岡 富士雄,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-219
MONOSメモリのトラップ密度に依存したプログラム特性の解析モデルとMONSメモリへの応用

野本 和正,  藤原 一郎,  青笹 浩,  寺野 登志夫,  小林 敏夫,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-220
メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS

廣瀬 達哉,  籾山 陽一,  小杉 真人,  加納 英樹,  渡邊 祐,  杉井 寿博,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-221
FD/DG-SOI MOSFETsによるスケーリング限界へのアプローチ

久本 大,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-222
SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法

竹内 潔,  最上 徹,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-223
ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成

佐藤 力,  新居 英明,  幡野 正之,  竹中 圭一,  林 久貴,  石行 一貴,  平野 智之,  井田 和彦,  青木 伸俊,  大黒 達也,  井納 和美,  水島 一郎,  綱島 祥隆,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-224
シリコン極狭チャネルMOSFETにおける量子効果を利用したデバイス設計

間島 秀明,  齊藤 裕太,  平本 俊郎,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-225
量子閉じ込め効果が薄膜SOI MOSFETの電気特性に与える影響について

内田 建,  古賀 淳二,  大場 竜二,  沼田 敏典,  高木 信一,  

[発表日]2002/1/15
[資料番号]2001-SDM-226
[OTHERS]

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[発表日]2002/1/15
[資料番号]