エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1997/05/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]
目次

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]
リモートプラズマCVD法によるTDMASからのSiN薄膜の堆積

荻島 拓哉,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  Wrobe A. M.,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-13
マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長

嶋田 香志,  土谷 徹,  大西 正人,  斎木 久雄,  三木 修,  吉田 明,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-14
ダイヤモンド膜のパルス放電プラズマCVDによる作製と膜質の制御

野田 三喜男,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-15
MOCVD法におけるZnTeへのラジカル窒素ドーピング

野田 大二,  青木 徹,  中西 洋一郎,  畑中 義式,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-16
窒化酸化膜形成初期過程のXPS観察

猪口 純康,  齋藤 洋司,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-17
リモートプラズマを用いたシリコン酸化膜表面界面の窒化プロセス

斎藤 洋司,  小寺 学,  

[発表日]1997/5/23
[資料番号]SDM97-18
[OTHERS]

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[発表日]1997/5/23
[資料番号]