エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:1993/12/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1993/12/10
[資料番号]
目次

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[発表日]1993/12/10
[資料番号]
熱酸化ポーラスシリコンの時間分解フォトルミネッセンス

柴 和利,  坂本 邦秀,  宮崎 誠一,  広瀬 全孝,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-172
スッパタ法によるSi添加SiO_2薄膜の可視光発光

野間 重雄,  中村 仁,  小野 洋,  野崎 真次,  森崎 弘,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-173
可視発光多孔質シリコンの陽極酸化処理効果

本井 見二,  山本 拓郎,  米田 敏之,  新垣 修,  八田 章光,  伊藤 利道,  平木 昭夫,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-174
可視光照射によるポーラスSiの作製とその評価

パティワエル エミル.I,  石川 博康,  長友 隆男,  大本 修,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-175
pn接合多孔質シリコンの可視発光

山本 拓郎,  米田 敏之,  本井 見二,  新垣 修,  八田 章光,  伊藤 利道,  平木 昭夫,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-176
水素プラズマ処理による酸化多孔質シリコンのPL、EL特性の安定化

新垣 修,  本井 見二,  山本 拓郎,  米田 敏之,  八田 章光,  伊藤 利道,  平木 昭夫,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-177
フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測

勝見 栄雄,  藤本 晶,  奥山 雅則,  浜川 圭弘,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-178
AESによるサブミクロンビアホール内微小領域分析法の検討

劉 国林,  池田 聰,  奥野 泰幸,  内田 英次,  平下 紀夫,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-179
ECRプラズマエッチングにおけるRFバイアスのSi表面への影響

笹川 幸宏,  稲葉 匡俊,  吉門 進三,  谷口 一郎,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-180
シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制

横田 勝弘,  岡本 陽一,  小田 耕治,  安東 靖典,  松田 耕治,  渡辺 正則,  関根 耕平,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-181
TEOS/O_3常圧CVD法によるシリコン酸化膜の成膜過程

池田 浩一,  中山 諭,  前田 正彦,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-182
アンテナ付MOSキャパシタによるチャージアップ電荷量の評価

久保 裕子,  名村 高,  米田 健司,  大石 博司,  戸所 義博,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-183
SiO_2薄膜の絶縁劣化とコンダクタンスの関連

井上 真雄,  白藤 純嗣,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-184
イオン注入時の酸化膜ダメージのQ_BD>法による評価

豆野 和延,  西田 篤弘,  長沢 秀治,  藤原 英明,  鈴木 浩司,  米田 清,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-185
大粒径ポリシリコンゲートを用いた表面チャネルpMOSFETにおけるゲート酸化膜の信頼性向上

小田 宗隆,  志田 吉克,  川口 淳一,  村上 武宏,  金子 良夫,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-186
Si-SiO_2界面へのF導入効果

佐藤 里江子,  腰塚 三江子,  新井 敏弘,  徳山 巍,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-187
ゾルゲル法によるPZT/PTO積層膜の形成

中原 智也,  吉丸 正樹,  伊野 昌義,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-188
Si基板上の前兆形強誘電体薄膜SrTiO_3の形成とMIFS構造の特性

多賀 正寛,  小林 猛,  

[発表日]1993/12/10
[資料番号]SDM93-189
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