| 講演名 | 1993/12/10 シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制 横田 勝弘, 岡本 陽一, 小田 耕治, 安東 靖典, 松田 耕治, 渡辺 正則, 関根 耕平, |
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| 抄録(和) | シリコンにひ素とボロンイオンを同じ斜射飛程になるようにして同時に注入後、950℃で30-300分間熱処理すると、ひ素とボロンは化学的に結合して複合体(BAs_2)^-を作った。この複合体の密度は、ひ素とボロンの密度に比例すると共に、Asの電気的活性化と拡散の抑制効果もひ素とボロンの密度に比例して顕著になった。この技術は、ショートチャネルMOSトランジスターにおけるホットエレクトロンの発生を抑制する一つの方法として使えると考えられる。 |
| 抄録(英) | Arsenic and Boron ions were simutaneously implanted with the same projected range into silicon.A compound that arenic reacted chemically with boron was produced during annealing at 950℃ for 30 -300 min.As a result,reduction of diffusion and electrically activation efficiency of the arsenic implanted into silicon was resulted by the formation of the compound.Diminishing the electrical activaty of the arsenic implanted near the drain region of a short-channel MOSPET is effective for suppressing the production of hot-electrons in the drain region. |
| キーワード(和) | シリコン / イオン注入 / 不純物 / 拡散 / 電気特性 |
| キーワード(英) | Silicon / Implantation / Impurity / diffusion / Electrical Property |
| 資料番号 | SDM93-181 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1993/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリコンにひ素とボロンを同時イオン注入法によるひ素の電気的活性化率と拡散の抑制 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Diminution of electrical activity and reduction of diffusivity of As implanted into Si by simultaneously implanting B and As ions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物 / Impurity |
| キーワード(4)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(5)（和/英） | 電気特性 / Electrical Property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横田 勝弘 / Katsuhiro Yokota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering,Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 陽一 / Youichi Okamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering,Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田 耕治 / Kouji Oda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering,Kansai University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安東 靖典 / Yasunori Ando |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日新電機 Nissin Denki |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松田 耕治 / Kouji Matsuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日新電機 Nissin Denki |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渡辺 正則 / Masanori Watanabe |
| 第 6 著者 所属（和/英） | イオン工学センター Center of ion engineering |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 関根 耕平 / Kouhei Sekine |
| 第 7 著者 所属（和/英） | イオン工学センター Center of ion engineering |
| 発表年月日 | 1993/12/10 |
| 資料番号 | SDM93-181 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 369 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |